-
Últimas unidadesDIPSWITCH 9 POSICIONES. Marca: GENERICA. Referencia: D506838-22. Este DIPSWITCH de 9 posiciones es un componente electrónico esencial para configurar circuitos y dispositivos. Permite ajustar nueve interruptores individualmente para controlar el flujo de corriente eléctrica. Su diseño compacto y su fácil instalación lo hacen ideal para una amplia gama de aplicaciones.
-
MOSFET N-CH 500V 2.5W 2.5A. Marca: IR. Referencia: IRF820A El IRF820A es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Se caracteriza por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes moderadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones.
-
TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA. Marca: ASI. Referencia: BDY58R El BDY58R es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación, amplificadores de audio y circuitos de conmutación.
-
TRANSISTOR NPN AF MEDIUM PW AMPLIFIERS & SWITCHES. Marca: ASP. Referencia: 2N3019 El 2N3019 es un transistor NPN epitaxial plano de silicio en caja metálica Jedec TO-39, diseñado para aplicaciones de amplificadores de alta corriente y alta frecuencia. Presenta alto voltaje de ganancia y baja saturación.
-
SALEÚltimas unidades
Este producto tiene condiciones especiales de entrega. Por favor contacta a un asesor!
MARQUILLA PARA CABLE TIPO TARJETA QUICK Referencia: QUCIKT Marquilla personalizada con el logo y datos de tu empresa en tinta negra. -
SALEÚltimas unidadesTENSOR ABONADO PARA CABLE DROP QUICK Referencia: TEN-C-DROP-QUICK
Este producto tiene condiciones especiales de entrega. Por favor contacta a un asesor!
-
SALEENFRENTADOR LC/UPC DUPLEX MONOMODO BEIGE. Marca: VICOM Referencia: LC/UPC MM DX BG
-
TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD235 El BD235 es un tipo de transistor de potencia NPN diseñado para aplicaciones de media potencia tanto lineales como de conmutación. Su estructura interna se basa en una tecnología planar con un diseño de "isla de base", lo que le confiere un alto rendimiento y una baja tensión de saturación.