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TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON ASI Referencia: BD137. El BD137 es un transistor NPN de propósito general, encapsulado en TO-126, con una tensión de ruptura colector-base (VCEO) de 60V y una corriente continua máxima del colector (IC) de 1A. Se caracteriza por su alta ganancia de corriente y su capacidad para operar a altas frecuencias, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación.
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TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD235 El BD235 es un tipo de transistor de potencia NPN diseñado para aplicaciones de media potencia tanto lineales como de conmutación. Su estructura interna se basa en una tecnología planar con un diseño de "isla de base", lo que le confiere un alto rendimiento y una baja tensión de saturación.
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TRANSISTOR NPN SILICON POWER DARLINGTON. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BD651. El BD651 es un transistor Darlington NPN de alta potencia con capacidad para manejar altos voltajes y corrientes, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en fuentes de alimentación, control de motores y sistemas de audio.
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TRANSISTOR DARLINGTON NPN EPITAXIAL BASE POWR. Marcas: ASI - PHILIPS. Referencia: BDX67C El BDX67C es un tipo de transistor de potencia NPN Darlington diseñado para aplicaciones que requieren un alto rendimiento y capacidad de conducción de corriente. Estos transistores son ampliamente utilizados en circuitos de potencia, como amplificadores de audio, controladores de motores y fuentes de alimentación conmutadas.
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TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA. Marca: ASI. Referencia: BDY58R El BDY58R es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación, amplificadores de audio y circuitos de conmutación.
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TRANSISTOR PROPOSITO GENERAL LEAD SMALL SIGNAL. Marca: MICRONIX INTEGRATED SYSTEMS. Referencia: BF178 El BF178 es un transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de propósito general. Esto significa que es un componente electrónico semiconductor que permite controlar el flujo de corriente eléctrica en un circuito, amplificando pequeñas señales.
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MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODE VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: BF965 El BF965 es un transistor MOSFET de canal N de doble puerta. Esto significa que tiene dos compuertas que permiten un control más preciso sobre la corriente que fluye a través del dispositivo. Esta característica lo hace especialmente útil en aplicaciones de alta frecuencia, como amplificadores de radiofrecuencia (RF).
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Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN 4 GHZ WIDEBAND. Marca: PHILIPS. Referencia: BFQ34 El Transistor NPN se encuentra encapsulado en un empaque SOT122A de 4 conductores con una tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados del perno. Está destinado principalmente a los controladores y etapas finales de los amplificadores del sistema MATV. También es adecuado para su uso en equipos de banda IV y V de baja potencia. Las resistencias de balasto de emisor difuso y la aplicación de metalización tipo sándwich de oro garantizan un perfil de temperatura óptimo y excelentes propiedades de confiabilidad. El dispositivo también cuenta con capacidades de alto voltaje de salida.
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IC HYBRIDO AMPLIFIER MODULES FOR CATV SYSTEMS. Marca: PHILIPS. Referencia: BGY81 Módulos amplificadores híbridos para sistemas CATV que funcionan en un rango de frecuencia de 40 a 450 MHz con una tensión de alimentación DC. El BGY81 está diseñado para usarse como amplificador final de 12,5 dB. Los módulos normalmente funcionan a VB = 24 V, pero son capaces de soportar transientes de suministro de hasta 30 V.
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TRANSISTOR RF DUAL VHF P65/33V 10/20A 115W 224MHZ. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV36 El BLV36 es un transistor de potencia RF de banda ancha VHF, lo que significa que puede operar eficientemente en un amplio rango de frecuencias de radiofrecuencia. Su diseño robusto y sus altas especificaciones lo convierten en una excelente opción para aplicaciones que requieren una amplificación de señal significativa.
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TRANSISTOR RF UHF LINEAR PUSH-PULL POWER. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV57 El transistor contiene dos secciones de transistores epitaxiales planares de silicio n-p-n en un solo paquete para usarse como amplificador push-pull, destinado principalmente para su uso en transmisores y retransmisores de televisión de ultra alta frecuencia lineal (UHF). El empaque es de tipo brida de 8 conductores con una tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados de la brida.