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INDUCTANCIA 7UH 1MHZ 20% 6A 20MOHM. Marca: FASTRON Referencia: MESC-7ROM-01. La inductancia MESC-7ROM-01 de FASTRON es un componente de 7 µH con una tolerancia de ±20%, diseñado para operar a 1 MHz y soportar una corriente máxima de 6A, ideal para aplicaciones en filtros, circuitos de sintonización y fuentes de alimentación.
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TRANSISTOR RF POWER TRANS NPN 30V 800MHZ STMICROELECTRONICS Referencia: 2N3866 Este transistor se destaca por su capacidad para manejar una potencia considerable en comparación con otros transistores de señal pequeña, lo cual es crucial en aplicaciones de RF donde se necesita amplificar señales de potencia para transmitir o excitar etapas de mayor potencia.
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TRANSISTOR PROPOSITO GENERAL UNIJUNCTION. Marca: NJS. Referencia: 2N1671A. El 2N1671A y el 2N1671 son un transistores unijuntura (UJT) de propósito general, utilizados en una variedad de aplicaciones, desde osciladores de relajación hasta circuitos de disparo y temporización. Estos transistores tienen una construcción de lecho fijo y están sellados herméticamente en una carcasa soldada. Todos los pines están aislados eléctricamente de la carcasa.
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TRANSISTOR NPN SILICON POWER ASI/NJS Referencia: BUS13 El transistor BUS13 de la marca ASI con empaque TO-3 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones que demandan alta corriente y voltaje. El empaque TO-3, metálico y de mayor tamaño, permite una mejor disipación de calor, lo cual es crucial para transistores que manejan potencias elevadas.
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TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N3906 El 2N3906 es un transistor de unión bipolar (BJT) PNP de baja señal, comúnmente utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación. El 2N3906 tiene equivalentes de otros fabricantes, como el BC557 o el NTE159.
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TRANSISTOR PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS SWITCHES. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N2905 El 2N2905 es un tipo de transistor de potencia, específicamente un transistor plano epitaxial PNP. Está diseñado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia y se utiliza a menudo en fuentes de alimentación, circuitos de control de motores y otros dispositivos electrónicos de alta potencia. El 2N2905 tiene una alta ganancia de corriente y puede manejar altos niveles de voltaje y corriente.
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Últimas unidadesTRANSISTOR PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER. Marca: MUSIC SEMICONDUCTOR. Referencia: MPS6523. El MPS6523 es un chip controlador de interfaz periférica (PIC) que se utiliza en computadoras más antiguas, particularmente en la serie Amiga. Sirve como puente entre el bus principal del sistema y varios periféricos, facilitando la comunicación entre la CPU y dispositivos como unidades de disquete, puertos serie y controladores de teclado.
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TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA. Marca: ASI. Referencia: BDY58R El BDY58R es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación, amplificadores de audio y circuitos de conmutación.
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TRANSISTOR NPN SILICON POWER DARLINGTON. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BD651. El BD651 es un transistor Darlington NPN de alta potencia con capacidad para manejar altos voltajes y corrientes, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en fuentes de alimentación, control de motores y sistemas de audio.
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TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL. Marca: ASI Referencia: 2N1711. El 2N1711 es un transistor versátil que se puede utilizar en una variedad de aplicaciones. Su bajo nivel de ruido lo hace especialmente adecuado para su uso en amplificadores de audio y otros circuitos donde se requiere una señal limpia.
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TRANSISTOR NPN SILICON AMPLIFIER ASI Referencia: 2N6558. El 2N6558 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN diseñado para aplicaciones de alta tensión. Pude funcionar como equivalente de: MMBT6428LT1 (Leshan Radio Company), MBT6429DW1T1 (ON Semiconductor), BC237 (ON Semiconductor), BD525 (Motorola). Por favor consulta la ficha técnica del fabricante.
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TRANSISTOR NPN AF MEDIUM PW AMPLIFIERS & SWITCHES. Marca: ASP. Referencia: 2N3019 El 2N3019 es un transistor NPN epitaxial plano de silicio en caja metálica Jedec TO-39, diseñado para aplicaciones de amplificadores de alta corriente y alta frecuencia. Presenta alto voltaje de ganancia y baja saturación.
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TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON ASI Referencia: BD137. El BD137 es un transistor NPN de propósito general, encapsulado en TO-126, con una tensión de ruptura colector-base (VCEO) de 60V y una corriente continua máxima del colector (IC) de 1A. Se caracteriza por su alta ganancia de corriente y su capacidad para operar a altas frecuencias, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación.
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TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD235 El BD235 es un tipo de transistor de potencia NPN diseñado para aplicaciones de media potencia tanto lineales como de conmutación. Su estructura interna se basa en una tecnología planar con un diseño de "isla de base", lo que le confiere un alto rendimiento y una baja tensión de saturación.
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TRANSISTOR DARLINGTON NPN EPITAXIAL BASE POWR. Marcas: ASI - PHILIPS. Referencia: BDX67C El BDX67C es un tipo de transistor de potencia NPN Darlington diseñado para aplicaciones que requieren un alto rendimiento y capacidad de conducción de corriente. Estos transistores son ampliamente utilizados en circuitos de potencia, como amplificadores de audio, controladores de motores y fuentes de alimentación conmutadas.
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TRANSISTOR PROPOSITO GENERAL LEAD SMALL SIGNAL. Marca: MICRONIX INTEGRATED SYSTEMS. Referencia: BF178 El BF178 es un transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de propósito general. Esto significa que es un componente electrónico semiconductor que permite controlar el flujo de corriente eléctrica en un circuito, amplificando pequeñas señales.
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Últimas unidadesTRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS PNP SILICON. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: MPSA92 El MPSA92 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación. Este dispositivo ofrece un alto rendimiento en aplicaciones de baja potencia, con una corriente máxima de colector de 500 mA y una tensión de colector-emisor de hasta 300 V. Su alta ganancia de corriente (hFE) y su excelente capacidad de respuesta lo hacen ideal para circuitos de señal y conmutación en dispositivos electrónicos. Además, su encapsulado TO-92 facilita su integración en diversas placas de circuito.
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TRANSISTOR HIGH POWER NPN SILICON MOTOROLA Referencia: BUX98C Es un transistor bipolar NPN de silicio, diseñado para aplicaciones industriales que requieren manejar altas corrientes y voltajes. Su encapsulado TO-3 metálico le permite disipar el calor de manera eficiente, lo cual es esencial para su funcionamiento en condiciones exigentes.
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TRANSISTOR DARLINGTON HIGH POWER. Marca: FUJI[FUJI ELECTRIC]. Referencia: 2SD1073 El 2SD1073 es un transistor Darlington NPN de alta potencia, ideal para aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente y la capacidad de manejar cargas significativas. Su versatilidad y robustez lo convierten en un componente muy utilizado en electrónica de potencia.
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TRANSISTOR DARLINGTON 120V NTE ELECTRONICS Referencia: NTE2344 El NTE2344 es un transistor Darlington PNP de silicio, ideal para aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente y bajo ruido. Su versatilidad y robustez lo convierten en un componente muy utilizado en electrónica. El NTE2344 es un transistor Darlington PNP de silicio, ideal para aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente y bajo ruido. Su versatilidad y robustez lo convierten en un componente muy utilizado en electrónica.
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TRANSISTOR BIPOLAR NPN 150V 50A NTE ELECTRONICS Referencia: NTE387 El NTE387 es un transistor bipolar NPN de silicio, diseñado para aplicaciones de alta potencia. Esto significa que puede manejar corrientes eléctricas significativas y voltajes elevados. Se utiliza comúnmente en circuitos donde se requiere amplificar señales, conmutar cargas o actuar como un interruptor controlado.
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REGULADOR DE VOLTAJE 5V. Marca: NATIONAL SEMICONDUCTOR. Referencia: LM309K El LM309K es un regulador de voltaje lineal de alta precisión y baja caída, diseñado para proporcionar una salida estable de 5V. Con una capacidad de corriente de hasta 1A, es ideal para aplicaciones en circuitos de baja a media potencia. Su diseño presenta protección contra sobrecalentamiento y cortocircuitos, garantizando un funcionamiento seguro y confiable en diversas aplicaciones electrónicas.
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REGULADOR DE VOLTAJE 5AMP ADJUSTABLE. Marca: NATIONAL SEMICONDUCTOR. Referencia: LM338T La serie LM138 de reguladores de voltaje positivo ajustables de 3 terminales es capaz de suministrar más de 5A en un rango de salida de 1,2 V a 32 V. Son excepcionalmente fáciles de usar y solo requieren 2 resistencias para configurar el voltaje de salida. Un diseño cuidadoso del circuito ha dado como resultado una excelente regulación de carga y línea — comparable a muchas fuentes de alimentación comerciales. La familia LM138 se suministra en un paquete de transistores estándar de 3 derivaciones.