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Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN 4 GHZ WIDEBAND. Marca: PHILIPS. Referencia: BFQ34 El Transistor NPN se encuentra encapsulado en un empaque SOT122A de 4 conductores con una tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados del perno. Está destinado principalmente a los controladores y etapas finales de los amplificadores del sistema MATV. También es adecuado para su uso en equipos de banda IV y V de baja potencia. Las resistencias de balasto de emisor difuso y la aplicación de metalización tipo sándwich de oro garantizan un perfil de temperatura óptimo y excelentes propiedades de confiabilidad. El dispositivo también cuenta con capacidades de alto voltaje de salida. -
TRANSISTOR RF DUAL VHF P65/33V 10/20A 115W 224MHZ. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV36 El BLV36 es un transistor de potencia RF de banda ancha VHF, lo que significa que puede operar eficientemente en un amplio rango de frecuencias de radiofrecuencia. Su diseño robusto y sus altas especificaciones lo convierten en una excelente opción para aplicaciones que requieren una amplificación de señal significativa. -
TRANSISTOR RF AUDIO FREQUENCY SMALL SIGNAL NEC Referencia: 2SC880 El transistor 2SC880 de NEC es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado para aplicaciones de pequeña señal en frecuencias de radiofrecuencia (RF) y audio. Su diseño compacto y características eléctricas lo convierten en una elección popular para una amplia gama de circuitos. -
TRANSISTOR RF 330 MHZ CATV AMPLIFIER. Marca: MOTOROLA. Referencia: MHW3342 Módulo híbrido diseñado específicamente para aplicaciones CATV de 330 MHz. Cuenta con transistores emisores de arsénico con implantación de iones con frecuencia de 6,0 GHz y un sistema de metalización totalmente en oro. -
TRANSISTOR RF 30W 1GHZ LATERAL N-CH BROADBAND. Marca: MOTOROLA. Referencia: MRF182 -
MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODE VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: BF965 El BF965 es un transistor MOSFET de canal N de doble puerta. Esto significa que tiene dos compuertas que permiten un control más preciso sobre la corriente que fluye a través del dispositivo. Esta característica lo hace especialmente útil en aplicaciones de alta frecuencia, como amplificadores de radiofrecuencia (RF). -
POWER SPLITTER/COMBINER 8 PINES. Marca: MINI-CIRCUITS. Referencia: SRA-2 El SRA-2 es un mezclador de RF con frecuencia de RF de 0 a 1000 MHz, frecuencia LO de 0 a 1 MHz, frecuencia IF de 0,5 a 500 MHz, pérdida de conversión de 5,66 a 8,5 dB, aislamiento LO/RF de 35 dB. -
POWER SPLITTER/COMBINER 14 PINES ADE Referencia: V104A -
MOSFET N-CH 150V 51A INTERNATIONAL RECTIFIER Referencia: IRFB52N15DPBF -
MOSFET N-CH HIGH 500V 20AMP IR Referencia: IRF460 -
MOSFET JFET N-CH 3-PIN ASI Referencia: 2N4392 -
MOSFET QUAD-CH SIPMOS POWER INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: BUZ103SL-IN -
MOSFET POWER 0.4A 60V INTERSIL Referencia: IRFD1Z3 -
MOSFET POWER IR Referencia: IRFP150 -
Últimas unidadesMOSFET P-CH 30V 1.95A 3-PIN SMD ON SEMICONDUCTOR Referencia: NTR4502P -
Últimas unidadesMOSFET N-CH 900V 7A 3-PIN(3+TAB) TOSHIBA Referencia: 2SK4115 -
MOSFET N-CHA 800V 2.5OHM 3.8A STMICROELECTRONICS Referencia: BUZ80A -
MOSFET N-CH SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT DIODE TRANSISTOR CO Referencia: 2N5397 -
MOSFET N-CH POWER MOS V ADVANCE POWER TECHNOLOGY Referencia: APT5020BVR -
MOSFET N-CH JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER MOTOROLA Referencia: 2N4416 -
MOSFET N-CH ENHANCEMENT-MODE VERTICAL DMOS FETS SILICONIX INC /SIEMENS Referencia: VN0300L -
MOSFET N-CH 600V 0.48OHM 13A POWER MESH STMICROELECTRONICS Referencia: W13NB60 -
MOSFET N-CH 80V 190A RUICHIPS Referencia: RU190N08Q -
MOSFET N-CH 800V 17A POWER TRANSISTOR INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: 17N80C3 -
MOSFET N-CH 60V 500MA FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Referencia: BS170 -
MOSFET N-CH 60V 45A ON SEMICONDUCTOR Referencia: NTP45N06L -
MOSFET N-CH 60V 2.1A 0.33OHM DIODES INC Referencia: ZVN4306GV -
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MOSFET N-CH 20V 67A IR Referencia: IRF3704ZPBF -
MOSFET N-CH 200V 50A IR Referencia: IRFP260N -
MOSFET N-CH 100V 59A IR Referencia: IRF3710ZPBF -
MOSFET N-CH SIPMOS POWER TRANSISTOR SIEMENS Referencia: BUZ103SL-SM -
Últimas unidadesMOSFET N-CH 500V 9.5A INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: BUZ330 -
MOSFET N-CH 500V 2.5W 2.5A. Marca: IR. Referencia: IRF820A El IRF820A es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Se caracteriza por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes moderadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones. -
MOSFET N-CH 500V 0.33W 14A. Marca: IR. Referencia: IRFP450 El IRFP450 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Es conocido por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes elevadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones industriales y de potencia. -
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Últimas unidadesMOSFET N-CH 100V 1.3A DIP-4. Marca: IR. Referencia: IRFD120PBF El IRFD120PBF es un MOSFET de canal N de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja resistencia en estado encendido, ofreciendo eficiencia y capacidad de manejo de corriente en un encapsulado DIP de 4 pines. -
Últimas unidadesMOSFET MEGA N-CH 20A 600V IXYS Referencia: IXTH20N60 -
MOSFET DIODO ID26 BVDASS500 IXYS Referencia: IXFH26N50 -
MOSFET 8.5A 650V IR Referencia: IRFB9N65A -
MOSFET 600V SINGLE N-CH HEXFET POWER IR Referencia: IRFPC50 -
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MOSFET 250V 40A. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: FQA40N25 -
MOSFET 0.6A 100V N-CH TOSHIBA Referencia: 2SK941 -
IGBT SUPER FAST NPT MODULE. Marca: SEMIKRON Referencia: SKM50GB063D -
Últimas unidadesIGBT SANREX 200A 600V SANREX Referencia: GCA200AA60 -
IGBT MODULES 500V 50A SILICONIX INCORPORATED Referencia: SPMB50A500 -
IGBT 600V 55A ULTRAFAST SPEED IGBT IR Referencia: IRG4PC50U -
Últimas unidadesIBGT SCR 1200V/27A DOUBLER CIRCUIT POSITIVE PHASE IR Referencia: IRKT2612 -
Últimas unidadesIGBT 24A 600V N-CH FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Referencia: HGTG24N60D1 -
RESISTENCIA 1K OHM 1% 1/8W 0603 GENERICO Referencia: R_1K_0603 -
RESISTENCIA SMD 100K OHM 5% 1/5W 0603 GENERICO Referencia: R_100K_0603 -
Últimas unidadesRESISTENCIA SMD 0 OHM JUMPER 1/10W 0603 BOURNS Referencia: CR0603-J/-000ELF -
Últimas unidadesRESISTENCIA SMD 330 OHM 5% 1/4W 0603 PANASONIC Referencia: ERJ-PA3J331V -
RESISTENCIA PRECISION 56.2 KOHM GENERICO Referencia: RES-PRE-56.2K -
SHUNT 26MVOHM OHMITE Referencia: SB536900 -
RESISTENCIA RF 600HM 100W EMC Referencia: EMCT6009475001 -
RESISTENCIA SUPERFICIE 10OHMIOS 1/4 W VISHAY DALE Referencia: CRCW120610R0JNEA -
Últimas unidadesRESISTENCIA SMD 4.7 OHM 1/8W VISHAY SILICONIX Referencia: CRCW08054R70FKEA -
RESISTENCIA SMD 10K OHM 1/8W VISHAY SILICONIX Referencia: CRCW080510K0FKEAC -
RESISTENCIA RF HIGH POWER 50 OHMIOS – 100W 4GHZ. MARCA: RF LABS. Referencia: 32A7165F -
Últimas unidadesRESISTENCIA RF 60W 50OHMIOS EMC Referencia: THD 7.T -
RESISTENCIA RF 20W 50 OHMIOS EMC Referencia: THD 6.T -
RESISTENCIA PRECISION 49.9OHM 1/4W 1% AXIAL VISHAY SILICONIX Referencia: CCF5549R9FKE36 -
Últimas unidadesRESISTENCIA MONTAJE EN PANEL 5% 50W 4R7 WIREWOUND WELWYN Referencia: WH50-4R7JI -
RESISTENCIA HIBRIDA 1M OHM 5% 10W EMPAQUE HIBRIDO IRC Referencia: RB-10 1M -
RESISTENCIA DE PRECISION 5.62 K OHM 1/4W THROUGH IRC / TT ELECTRONICS Referencia: RES-5.62KOHM-1/4W -
RESISTENCIA DE POTENCIA 7.5 OHM 10W 280-CR10-7.5J XICOM Referencia: 10W7.5J -
RESISTENCIA DE POTENCIA 20 OHMIOS 25W XICOM Referencia: 25W20J -
Últimas unidadesRESISTENCIA DE POTENCIA 15 OHM 5W CERAMICO XICOM Referencia: 5W15J -
Últimas unidadesRESISTENCIA DE CHASIS 25W 220 OHM 5% ALUMINIO VISHAY SFERNICE Referencia: RH25220R -
RESISTENCIA DE CHASIS 25W 0.0510 OHM 5% ALUMINIO VISHAY SFERNICE Referencia: RH250R0510 -
RESISTENCIA DE CHASIS 25W 0.0500 OHM 5% ALUMINIO VISHAY SFERNICE Referencia: RH250R0500 -
RESISTENCIA DE CARBONO 0.33OHMIOS 2W KOA SPEER Referencia: MOSX2CT52RR33J -
SALERESISTENCIA DE CARBON 6.2KOHM 5% VICOM Referencia: RES6.2KOM5% -
RESISTENCIA DE CARBON 5.6KOHM 5% VICOM Referencia: RES5.6KOH5% -
RESISTENCIA DE CARBON 3W 1.29 OHM 2% SERREE Referencia: BSP3W -
RESISTENCIA DE CARBON 30OHM 1/2W 5% OHMITE Referencia: CF1/2C300J -
RESISTENCIA DE CARBON 100OHM 5% 10W EMPAQUE HIBRI IRC Referencia: RB-10 100R -
RESISTENCIA DE CARBON 100 OHM 5% 2W AXIAL KOA SPEER Referencia: SPR2CT521R101J -
RESISTENCIA DE CARBON 0.50 OHM 1W AXIAL MULTICOMP Referencia: RES-0.50-1W -
Últimas unidadesRESISTENCIA CERAMICA 33K OHM 5% 180W VISHAY SFERNICE Referencia: RWST25.168 -
Últimas unidadesRESISTENCIA 7.5OHMIOS 5W CERAMICA OHMITE Referencia: TWM5J750 -
RESISTENCIA 5MOHM 5% 10W EMPAQUE HIBRIDO IRC Referencia: RB-10 5M -
RESISTENCIA 15 OHM 5% 30W WIREWOUD. OHMITE Referencia: F30J15RE -
Últimas unidadesRESISTENCIA 120 OHMIOS 5% 2W OHMITE Referencia: RES-120-2W -
RESISTENCIA 0.08 OHM 2% 3W GEKA Referencia: 68BSI -
Últimas unidadesPOTENCIOMETRO EJE ESTRIADO 150K OHM PANASONIC Referencia: B150K -
Últimas unidadesPOTENCIOMETRO TRIMMER 100OHM 0.5W 25VUEL BOURNS Referencia: 3299W-1-101LF -
Últimas unidadesFOTORESISTENCIA LDR 5MOHM 50MW NG SERIES LPRS Referencia: N5AC501085 -
Últimas unidadesRESISTENCIA 50OHM 150W TERMINAL AVX Referencia: RP83737T0050JTTR -
Últimas unidadesMODULO SEMICONDUCTOR DISCRETO 312 AMP 1200V IXYS Referencia: MDD312-12N1 -
Últimas unidadesMODULO RX TX 315 MHZ RADIO FRECUENCIA AR Referencia: M-RXTX315MHZ -
Últimas unidadesTOROIDAL INDUCTOR 8.06UH 4.8A 10% 15.9MOHM RADIAL TRIAD MAGNETICS Referencia: FIT44-4 -
OSCILADOR 32MHZ DIP-4 HCMOS / TTL VISHAY Referencia: XO52CTFLNA32M -
INDUCTANCIA 7UH 1MHZ 20% 6A 20MOHM. Marca: FASTRON Referencia: MESC-7ROM-01. La inductancia MESC-7ROM-01 de FASTRON es un componente de 7 µH con una tolerancia de ±20%, diseñado para operar a 1 MHz y soportar una corriente máxima de 6A, ideal para aplicaciones en filtros, circuitos de sintonización y fuentes de alimentación.
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Patch Cord UTP Cat 5e Negro 5mts Cca 
17N80C3: Mosfet N-Ch 800V 17A Power Transistor 
LM1084 IT-12: Regulador de Voltaje 
1460G1-BK: Carcasa Pp Pak 2-4p Hsg-Plug W/Latch - Bulk Negro 
1N4735A: Diodo Zenner 6.2v 1w 5%