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DIODO ZENER 45V 5 WATT REGULATOR STMICROELECTRONICS Referencia: 1N5367 -
DIODO 1000V 3A PROPOSITO GENERAL DIODE SEMICONDUCTOR Referencia: 1N5408 -
DIODO RECTIFICADOR SCHOTTKY 70V 15MA AXIAL STMICROELECTRONICS Referencia: 1N5711 -
DIODO RECTIFICADOR SCHOTTKY 20V 1A DIODE INCORPORATION Referencia: 1N5817 El diodo 1N5817 es un componente electrónico muy versátil, este tipo de diodos son muy empleados en fuentes de alimentación para convertir una tensión alterna en una tensión continua. Es especialmente útil en circuitos donde se requiere una alta velocidad de conmutación y una baja pérdida de potencia. Sus aplicaciones son diversas y se encuentran en una amplia gama de dispositivos electrónicos, desde fuentes de alimentación hasta circuitos de control industrial. Diodo Schottky y rectificador estándar 20V 1A. DO-41. -
Últimas unidadesDIODO RECTIFICADOR SCHOTTKY 20V 3A DIODE SEMICONDUCTOR Referencia: 1N5820 -
DIODO ZENER 3.6V 5W 480MW 2-PIN ON SEMICONDUCTOR Referencia: 1N747A-ON -
DIODO ZENER 10V 5% 500MW AXIAL MOTOROLA Referencia: 1N758A -
DIODO ZENER TEMPERATURE COMPENSATED 6.2V STMICROELECTRONICS Referencia: 1N823A -
DIODO ZENER TEMPERATURE COMPENSATED SILICON MSC Referencia: 1N825 -
DIODO SILICON AXIAL ON SEMICONDUCTOR Referencia: 1N905 -
DIODO 500MW 100 VOLT SILICON EPITAXIAL MICROSEMI Referencia: 1N914
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DIODO ZENER 11.7 V NOMINA VOLTAGE RF-MICRO DEVICES Referencia: 1N944A -
DIODO ZENER 6.8V 0.5W SILICON MOTOROLA Referencia: 1N975B -
CAPACITOR ELECTROLITICO 1000UF 10V PHILIPS Referencia: 2222-030-033 -
Últimas unidadesCAPACITOR ELECTROLITICO 100UF 63V AXIAL PHILIPS Referencia: 2222-138-38101 -
IC 32K I2C SERIAL EEPROM MICROCHIPS Referencia: 24LC32A -
RESISTENCIA DE POTENCIA 20 OHMIOS 25W XICOM Referencia: 25W20J -
Últimas unidadesIC 2MBIT 256K X 8 CMOS EPROM. Marca: MACRONIX INTERNATIONAL. Referencia: 27C2000APC-90 -
Últimas unidadesMEMORIA 64K 8K X 8 CMOS EEPROM MICROCHIPS TECHNOLOGY Referencia: 28C64A-25/P El 28C64A de Microchip Technology Inc., es un PROM CMOS de 64K no volátil borrable eléctricamente. Se accede al 28C64A como una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura sin necesidad de componentes externos. -
TRANSISTOR PROPOSITO GENERAL UNIJUNCTION. Marca: NJS. Referencia: 2N1671A. El 2N1671A y el 2N1671 son un transistores unijuntura (UJT) de propósito general, utilizados en una variedad de aplicaciones, desde osciladores de relajación hasta circuitos de disparo y temporización. Estos transistores tienen una construcción de lecho fijo y están sellados herméticamente en una carcasa soldada. Todos los pines están aislados eléctricamente de la carcasa. -
TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL. Marca: ASI Referencia: 2N1711. El 2N1711 es un transistor versátil que se puede utilizar en una variedad de aplicaciones. Su bajo nivel de ruido lo hace especialmente adecuado para su uso en amplificadores de audio y otros circuitos donde se requiere una señal limpia. -
TRANSISTOR NPN SWITCHING MOTOROLA Referencia: 2N2219A -
TRANSISTOR 40V 800MA NPN SMALL SIGNAL ON SEMICONDUCTOR Referencia: 2N2222A El transistor 2N2222A es un dispositivo semiconductor de tipo bipolar NPN, ampliamente utilizado en electrónica debido a su versatilidad y bajo costo. En el caso del 2N2222A, una pequeña corriente aplicada a la base controla una corriente mucho mayor que fluye entre el colector y el emisor. Esta propiedad lo hace ideal para aplicaciones como: Amplificadores, Conmutadores, Osciladores y Circuitos lógicos. -
TRANSISTOR NPN SILICON SWITCHING. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N2369A Es un transistor NPN plano epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación saturada de ultra alta velocidad. -
TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N2484 El 2N2484 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN diseñado para aplicaciones de baja señal. -
TRANSISTOR PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS SWITCHES. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N2905 El 2N2905 es un tipo de transistor de potencia, específicamente un transistor plano epitaxial PNP. Está diseñado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia y se utiliza a menudo en fuentes de alimentación, circuitos de control de motores y otros dispositivos electrónicos de alta potencia. El 2N2905 tiene una alta ganancia de corriente y puede manejar altos niveles de voltaje y corriente. -
TRANSISTOR PNP 40V 0.6A SILICON PLANAR SWITCHING MOTOROLA Referencia: 2N2907A -
TRANSISTOR NPN AF MEDIUM PW AMPLIFIERS & SWITCHES. Marca: ASP. Referencia: 2N3019 El 2N3019 es un transistor NPN epitaxial plano de silicio en caja metálica Jedec TO-39, diseñado para aplicaciones de amplificadores de alta corriente y alta frecuencia. Presenta alto voltaje de ganancia y baja saturación. -
TRANSISTOR NPN SILICON POWER. Marca: RCA. Referencia: 2N3054 El 2N3054 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia media, ampliamente utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación. -
TRANSISTOR NPN SILICON LEADED SMALL SIGNAL ASI Referencia: 2N3137 -
TRANSISTOR NPN 3A 140V 25W POWER. Marca: ASI. Referencia: 2N3441 Transistor NPN de potencia media con una buena capacidad de voltaje, adecuado para una variedad de aplicaciones de amplificación y conmutación de baja a media frecuencia donde se requiere un voltaje de ruptura relativamente alto. -
THYRISTOR 35-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS. Marca: RCA Referencia: 2N3658 Tiristor SCR 200 V 200 A 3 pines (tornillo y 2 pestañas) TO-28AA; Estado sólido RCA Los modelos RCA-2N3658, son rectificadores controlados de silicio totalmente difundidos (tiristores de triodo de bloqueo inverso) diseñados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como inversores de potencia, reguladores de conmutación y aplicaciones de pulsos de alta corriente. Presentan características de apagado rápido, alta dv/dt y alta di/dt y pueden usarse a frecuencias de hasta 25 kHz. -
TRANSISTOR NPN SILICON POWER MICROSEMI Referencia: 2N3738 -
TRANSISTOR PNP 4A 25W 60-80V POWER MOTOROLA Referencia: 2N3740 -
TRANSISTOR RF POWER TRANS NPN 30V 800MHZ STMICROELECTRONICS Referencia: 2N3866 Este transistor se destaca por su capacidad para manejar una potencia considerable en comparación con otros transistores de señal pequeña, lo cual es crucial en aplicaciones de RF donde se necesita amplificar señales de potencia para transmitir o excitar etapas de mayor potencia. -
TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N3906 El 2N3906 es un transistor de unión bipolar (BJT) PNP de baja señal, comúnmente utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación. El 2N3906 tiene equivalentes de otros fabricantes, como el BC557 o el NTE159. -
TRANSISTOR PNP SILICON SWITCHING. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N4033. -
MOSFET JFET N-CH 3-PIN ASI Referencia: 2N4392 -
MOSFET N-CH JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER MOTOROLA Referencia: 2N4416 -
THYRISTOR SCR 0.8A 30V. Marca: MOTOROLA Referencia: 2N5060 -
THYRISTOR SCR 600V 35A. Marca: STMICROELECTRONICS Referencia: 2N5204 -
TRANSISTOR NPN SILICON SWITCHING STMICROELECTRONICS Referencia: 2N5320 -
MOSFET N-CH SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT DIODE TRANSISTOR CO Referencia: 2N5397 -
Últimas unidadesTHYRISTOR PUT 40V 5A 3-PIN. Marca: ON SEMICONDUCTOR Referencia: 2N6028 -
Últimas unidadesTRANSISTOR 80V 4A ON SEMICONDUCTOR Referencia: 2N6036 -
TRANSISTOR PNP 25V 10MA 500HFE FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Referencia: 2N6076 -
TRANSISTOR PNP GB BJT 350V 2A 3-PIN ASI Referencia: 2N6213 -
TRANSISTOR NPN SILICON AMPLIFIER ASI Referencia: 2N6558. El 2N6558 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN diseñado para aplicaciones de alta tensión. Pude funcionar como equivalente de: MMBT6428LT1 (Leshan Radio Company), MBT6429DW1T1 (ON Semiconductor), BC237 (ON Semiconductor), BD525 (Motorola). Por favor consulta la ficha técnica del fabricante.
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