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CAPACITOR ELECTROLITICO 1000UF 75VDC MALLORY Referencia: CG13U75B1 -
CAPACITOR ELECTROLITICO 1000UF 10V PHILIPS Referencia: 2222-030-033 -
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CAPACITOR TRIMER VARIABLE 6-50PF NP0+/-300PPM 50V MURATA Referencia: TZ03Z500F169B00 -
Últimas unidadesMOSFET RF GAIN 3 PHILLIPS Referencia: ON4402H-3G El transistor ON4402H es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Su estructura interna y características lo hacen ideal para amplificar señales de alta frecuencia con baja distorsión y alta eficiencia. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF UHF POWER LDMOS. Marca: AMPLEON. Referencia: BLF2045 Transistor de potencia LDMOS de 30 W para aplicaciones de estaciones base en frecuencias de 1800 a 2200 MHz. -
TRANSISTOR RF UHF LINEAR PUSH-PULL POWER. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV57 El transistor contiene dos secciones de transistores epitaxiales planares de silicio n-p-n en un solo paquete para usarse como amplificador push-pull, destinado principalmente para su uso en transmisores y retransmisores de televisión de ultra alta frecuencia lineal (UHF). El empaque es de tipo brida de 8 conductores con una tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados de la brida. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF UHF LINEAR POWER PHILIPS Referencia: BLX97 -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF HIGH FRECUENCY 200W 170/230MHZ STMICROELECTRONICS Referencia: SD1485-1 El SD1485 es un transistor planar NPN de silicio epitaxial metalizado en oro que utiliza resistencias de balasto de emisor difuso para operación de clase AB de alta linealidad en transmisores y transpositores de televisión de banda III y VHF. -
MOSFET RF GAIN 0 (cero). Marca: PHILIPS. Referencia: ON4402H-0G -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF CASCADABLE SILICON BIPOLAR PHILIPS Referencia: A+ -
TRANSISTOR NPN. RF 60V 25A. Marcas: ASI o ST. Referencia: SD1492-2 El Transistor SD1492-2 es un dispositivo emisor común diseñado para aplicaciones de amplificadores de clase A y AB en transmisores de banda IV y V de televisión, diseñado específicamente para operar en circuitos que manejan señales de alta frecuencia, como aquellas utilizadas en equipos de radio, televisión y comunicaciones.Características principales:
- Alta potencia: Capaz de manejar altas corrientes y voltajes, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren amplificación de señal.
- Alta frecuencia: Diseñado para operar en rangos de frecuencia relativamente altos, como los utilizados en las bandas IV y V de televisión.
- Configuración de emisor común: Esta configuración es común en amplificadores de clase AB, que son eficientes y proporcionan una buena linealidad.
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TRANSISTOR RF 28V 2A PIN LARGO MOTOROLA Referencia: TPV8100B. El TPV8100B está diseñado para etapas de salida en amplificadores de transmisores de TV de banda IV y V. Incorpora resistencias de balastro de emisor de alto valor, metalizaciones de oro y ofrece un alto grado de confiabilidad y robustez. El TPV8100B incluye redes de adaptación de entrada y salida dobles y presenta altas impedancias. Puede operar fácilmente en un ancho de banda completo de 470 MHz a 860 MHz en un circuito simple y único. -
TRANSISTOR RF 28V 108MHZ. Marca: ST MICROELECTRONICS Referencia: SD1460-3 -
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Últimas unidadesTRANSISTOR RF LINE 100W 500MHZ 28V MOTOROLA Referencia: MRF275L -
TRANSISTOR RF LINEAR WIDEBAND LINEAR AMPLIFIERS MOTOROLA Referencia: CA4800CS -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF AMPLIFIER 34.5DB 5-200MHZ 800MW MOTOROLA Referencia: CA2830C -
TRANSISTOR RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TIC Referencia: TP491 -
TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER 8A 65V MOTOROLA Referencia: TPV375 -
TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER 300MA 45V Marca: MOTOROLA. Referencia: TPV591 El TPV591 es un transistor con emisor común diseñado para transmisores de televisión de alta linealidad Clase A Banda IV y V. -
TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER 1.2A 45V RFG Referencia: TPV593 El transistor TPV593 es un dispositivo emisor común diseñado para aplicaciones de transmisores de televisión de banda IV y V de alta linealidad de clase A. -
TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER MOTOROLA/RF Referencia: TPV376 El transistor TPV376 es un dispositivo emisor común diseñado para aplicaciones de banda III de televisión de clase A de alta linealidad (170-230 MHz). -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN SILICON POWER. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV33 Transistor epitaxial planar de silicio NPN encapsulado en un encapsulado SOT147 de 1/16" con 4 conductores y tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados del perno. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN SILICON. Marca: MOTOROLA o POWER ADVANCED SEMICONDUCTOR. Referencia: TPV590 El transistor TPV590 está diseñado para etapas de pre-controlador y controlador en retransmisores de TV de banda IV y V y amplificadores de transmisión. El TPV590 utiliza un chip metalizado en oro con resistencias de balasto de emisor difuso para mejorar la confiabilidad, la robustez y la linealidad. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN 4 GHZ WIDEBAND. Marca: PHILIPS. Referencia: BFQ34 El Transistor NPN se encuentra encapsulado en un empaque SOT122A de 4 conductores con una tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados del perno. Está destinado principalmente a los controladores y etapas finales de los amplificadores del sistema MATV. También es adecuado para su uso en equipos de banda IV y V de baja potencia. Las resistencias de balasto de emisor difuso y la aplicación de metalización tipo sándwich de oro garantizan un perfil de temperatura óptimo y excelentes propiedades de confiabilidad. El dispositivo también cuenta con capacidades de alto voltaje de salida. -
TRANSISTOR RF DUAL VHF P65/33V 10/20A 115W 224MHZ. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV36 El BLV36 es un transistor de potencia RF de banda ancha VHF, lo que significa que puede operar eficientemente en un amplio rango de frecuencias de radiofrecuencia. Su diseño robusto y sus altas especificaciones lo convierten en una excelente opción para aplicaciones que requieren una amplificación de señal significativa. -
TRANSISTOR RF AUDIO FREQUENCY SMALL SIGNAL NEC Referencia: 2SC880 El transistor 2SC880 de NEC es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado para aplicaciones de pequeña señal en frecuencias de radiofrecuencia (RF) y audio. Su diseño compacto y características eléctricas lo convierten en una elección popular para una amplia gama de circuitos. -
TRANSISTOR RF 330 MHZ CATV AMPLIFIER. Marca: MOTOROLA. Referencia: MHW3342 Módulo híbrido diseñado específicamente para aplicaciones CATV de 330 MHz. Cuenta con transistores emisores de arsénico con implantación de iones con frecuencia de 6,0 GHz y un sistema de metalización totalmente en oro. -
TRANSISTOR RF 30W 1GHZ LATERAL N-CH BROADBAND. Marca: MOTOROLA. Referencia: MRF182 -
MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODE VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: BF965 El BF965 es un transistor MOSFET de canal N de doble puerta. Esto significa que tiene dos compuertas que permiten un control más preciso sobre la corriente que fluye a través del dispositivo. Esta característica lo hace especialmente útil en aplicaciones de alta frecuencia, como amplificadores de radiofrecuencia (RF). -
POWER SPLITTER/COMBINER 8 PINES. Marca: MINI-CIRCUITS. Referencia: SRA-2 El SRA-2 es un mezclador de RF con frecuencia de RF de 0 a 1000 MHz, frecuencia LO de 0 a 1 MHz, frecuencia IF de 0,5 a 500 MHz, pérdida de conversión de 5,66 a 8,5 dB, aislamiento LO/RF de 35 dB. -
POWER SPLITTER/COMBINER 14 PINES ADE Referencia: V104A -
MOSFET N-CH 150V 51A INTERNATIONAL RECTIFIER Referencia: IRFB52N15DPBF -
MOSFET N-CH HIGH 500V 20AMP IR Referencia: IRF460 -
MOSFET JFET N-CH 3-PIN ASI Referencia: 2N4392 -
MOSFET QUAD-CH SIPMOS POWER INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: BUZ103SL-IN -
MOSFET POWER 0.4A 60V INTERSIL Referencia: IRFD1Z3 -
MOSFET POWER IR Referencia: IRFP150 -
Últimas unidadesMOSFET P-CH 30V 1.95A 3-PIN SMD ON SEMICONDUCTOR Referencia: NTR4502P -
Últimas unidadesMOSFET N-CH 900V 7A 3-PIN(3+TAB) TOSHIBA Referencia: 2SK4115 -
MOSFET N-CHA 800V 2.5OHM 3.8A STMICROELECTRONICS Referencia: BUZ80A -
MOSFET N-CH SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT DIODE TRANSISTOR CO Referencia: 2N5397 -
MOSFET N-CH SILICON FIELD-EFFECT ETC/MOTOROLA Referencia: BF245A -
MOSFET N-CH POWER MOS V ADVANCE POWER TECHNOLOGY Referencia: APT5020BVR -
MOSFET N-CH JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER MOTOROLA Referencia: 2N4416 -
MOSFET N-CH ENHANCEMENT-MODE VERTICAL DMOS FETS SILICONIX INC /SIEMENS Referencia: VN0300L -
MOSFET N-CH 600V 0.48OHM 13A POWER MESH STMICROELECTRONICS Referencia: W13NB60 -
MOSFET N-CH 80V 190A RUICHIPS Referencia: RU190N08Q -
MOSFET N-CH 800V 17A POWER TRANSISTOR INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: 17N80C3 -
MOSFET N-CH 60V 500MA FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Referencia: BS170 -
MOSFET N-CH 60V 45A ON SEMICONDUCTOR Referencia: NTP45N06L -
MOSFET N-CH 60V 2.1A 0.33OHM DIODES INC Referencia: ZVN4306GV -
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MOSFET N-CH 20V 67A IR Referencia: IRF3704ZPBF -
MOSFET N-CH 200V 50A IR Referencia: IRFP260N -
MOSFET N-CH 100V 59A IR Referencia: IRF3710ZPBF -
MOSFET N-CH SIPMOS POWER TRANSISTOR SIEMENS Referencia: BUZ103SL-SM -
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MOSFET N-CH 500V 2.5W 2.5A. Marca: IR. Referencia: IRF820A El IRF820A es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Se caracteriza por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes moderadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones. -
MOSFET N-CH 500V 0.33W 14A. Marca: IR. Referencia: IRFP450 El IRFP450 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Es conocido por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes elevadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones industriales y de potencia. -
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Últimas unidadesMOSFET N-CH 100V 1.3A DIP-4. Marca: IR. Referencia: IRFD120PBF El IRFD120PBF es un MOSFET de canal N de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja resistencia en estado encendido, ofreciendo eficiencia y capacidad de manejo de corriente en un encapsulado DIP de 4 pines. -
Últimas unidadesMOSFET MEGA N-CH 20A 600V IXYS Referencia: IXTH20N60 -
MOSFET DIODO ID26 BVDASS500 IXYS Referencia: IXFH26N50 -
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MOSFET 600V SINGLE N-CH HEXFET POWER IR Referencia: IRFPC50 -
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MOSFET 250V 40A. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: FQA40N25 -
MOSFET 0.6A 100V N-CH TOSHIBA Referencia: 2SK941 -
IGBT SUPER FAST NPT MODULE. Marca: SEMIKRON Referencia: SKM50GB063D -
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IGBT MODULES 500V 50A SILICONIX INCORPORATED Referencia: SPMB50A500 -
IGBT 600V 55A ULTRAFAST SPEED IGBT IR Referencia: IRG4PC50U -
Últimas unidadesIBGT SCR 1200V/27A DOUBLER CIRCUIT POSITIVE PHASE IR Referencia: IRKT2612 -
Últimas unidadesIGBT 24A 600V N-CH FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Referencia: HGTG24N60D1 -
RESISTENCIA 1K OHM 1% 1/8W 0603 GENERICO Referencia: R_1K_0603 -
RESISTENCIA SMD 100K OHM 5% 1/5W 0603 GENERICO Referencia: R_100K_0603 -
Últimas unidadesRESISTENCIA SMD 0 OHM JUMPER 1/10W 0603 BOURNS Referencia: CR0603-J/-000ELF -
Últimas unidadesRESISTENCIA SMD 330 OHM 5% 1/4W 0603 PANASONIC Referencia: ERJ-PA3J331V -
RESISTENCIA PRECISION 56.2 KOHM GENERICO Referencia: RES-PRE-56.2K -
SHUNT 26MVOHM OHMITE Referencia: SB536900 -
RESISTENCIA RF 600HM 100W EMC Referencia: EMCT6009475001 -
RESISTENCIA SUPERFICIE 10OHMIOS 1/4 W VISHAY DALE Referencia: CRCW120610R0JNEA -
Últimas unidadesRESISTENCIA SMD 4.7 OHM 1/8W VISHAY SILICONIX Referencia: CRCW08054R70FKEA -
RESISTENCIA SMD 10K OHM 1/8W VISHAY SILICONIX Referencia: CRCW080510K0FKEAC -
RESISTENCIA RF HIGH POWER 50 OHMIOS – 100W 4GHZ. MARCA: RF LABS. Referencia: 32A7165F -
Últimas unidadesRESISTENCIA RF 60W 50OHMIOS EMC Referencia: THD 7.T -
RESISTENCIA RF 20W 50 OHMIOS EMC Referencia: THD 6.T -
RESISTENCIA PRECISION 49.9OHM 1/4W 1% AXIAL VISHAY SILICONIX Referencia: CCF5549R9FKE36 -
Últimas unidadesRESISTENCIA MONTAJE EN PANEL 5% 50W 4R7 WIREWOUND WELWYN Referencia: WH50-4R7JI -
RESISTENCIA HIBRIDA 1M OHM 5% 10W EMPAQUE HIBRIDO IRC Referencia: RB-10 1M -
RESISTENCIA DE PRECISION 5.62 K OHM 1/4W THROUGH IRC / TT ELECTRONICS Referencia: RES-5.62KOHM-1/4W -
RESISTENCIA DE POTENCIA 7.5 OHM 10W 280-CR10-7.5J XICOM Referencia: 10W7.5J -
RESISTENCIA DE POTENCIA 20 OHMIOS 25W XICOM Referencia: 25W20J -
Últimas unidadesRESISTENCIA DE POTENCIA 15 OHM 5W CERAMICO XICOM Referencia: 5W15J -
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RESISTENCIA DE CHASIS 25W 0.0510 OHM 5% ALUMINIO VISHAY SFERNICE Referencia: RH250R0510 -
RESISTENCIA DE CHASIS 25W 0.0500 OHM 5% ALUMINIO VISHAY SFERNICE Referencia: RH250R0500 -
RESISTENCIA DE CARBONO 0.33OHMIOS 2W KOA SPEER Referencia: MOSX2CT52RR33J -
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RESISTENCIA DE CARBON 3W 1.29 OHM 2% SERREE Referencia: BSP3W -
RESISTENCIA DE CARBON 30OHM 1/2W 5% OHMITE Referencia: CF1/2C300J -
RESISTENCIA DE CARBON 100OHM 5% 10W EMPAQUE HIBRI IRC Referencia: RB-10 100R -
RESISTENCIA DE CARBON 100 OHM 5% 2W AXIAL KOA SPEER Referencia: SPR2CT521R101J -
RESISTENCIA DE CARBON 0.50 OHM 1W AXIAL MULTICOMP Referencia: RES-0.50-1W -
Últimas unidadesRESISTENCIA CERAMICA 33K OHM 5% 180W VISHAY SFERNICE Referencia: RWST25.168 -
Últimas unidadesRESISTENCIA 7.5OHMIOS 5W CERAMICA OHMITE Referencia: TWM5J750 -
RESISTENCIA 5MOHM 5% 10W EMPAQUE HIBRIDO IRC Referencia: RB-10 5M -
RESISTENCIA 15 OHM 5% 30W WIREWOUD. OHMITE Referencia: F30J15RE -
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RESISTENCIA 0.08 OHM 2% 3W GEKA Referencia: 68BSI -
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