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MOSFET N-CH SIPMOS POWER TRANSISTOR SIEMENS Referencia: BUZ103SL-SM -
MOSFET N-CH 100V 59A IR Referencia: IRF3710ZPBF -
MOSFET N-CH 200V 50A IR Referencia: IRFP260N -
MOSFET N-CH 20V 67A IR Referencia: IRF3704ZPBF -
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MOSFET N-CH 60V 2.1A 0.33OHM DIODES INC Referencia: ZVN4306GV -
MOSFET N-CH 60V 45A ON SEMICONDUCTOR Referencia: NTP45N06L -
MOSFET N-CH 60V 500MA FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Referencia: BS170 -
MOSFET N-CH 800V 17A POWER TRANSISTOR INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: 17N80C3 -
MOSFET N-CH 80V 190A RUICHIPS Referencia: RU190N08Q -
MOSFET N-CH 600V 0.48OHM 13A POWER MESH STMICROELECTRONICS Referencia: W13NB60 -
MOSFET N-CH ENHANCEMENT-MODE VERTICAL DMOS FETS SILICONIX INC /SIEMENS Referencia: VN0300L -
MOSFET N-CH JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER MOTOROLA Referencia: 2N4416 -
MOSFET N-CH POWER MOS V ADVANCE POWER TECHNOLOGY Referencia: APT5020BVR -
MOSFET N-CH SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT DIODE TRANSISTOR CO Referencia: 2N5397 -
MOSFET N-CHA 800V 2.5OHM 3.8A STMICROELECTRONICS Referencia: BUZ80A -
Últimas unidadesMOSFET N-CH 900V 7A 3-PIN(3+TAB) TOSHIBA Referencia: 2SK4115 -
Últimas unidadesMOSFET P-CH 30V 1.95A 3-PIN SMD ON SEMICONDUCTOR Referencia: NTR4502P -
MOSFET POWER IR Referencia: IRFP150 -
MOSFET POWER 0.4A 60V INTERSIL Referencia: IRFD1Z3 -
MOSFET QUAD-CH SIPMOS POWER INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: BUZ103SL-IN -
MOSFET JFET N-CH 3-PIN ASI Referencia: 2N4392 -
MOSFET N-CH HIGH 500V 20AMP IR Referencia: IRF460 -
MOSFET N-CH 150V 51A INTERNATIONAL RECTIFIER Referencia: IRFB52N15DPBF -
POWER SPLITTER/COMBINER 14 PINES ADE Referencia: V104A -
POWER SPLITTER/COMBINER 8 PINES. Marca: MINI-CIRCUITS. Referencia: SRA-2 El SRA-2 es un mezclador de RF con frecuencia de RF de 0 a 1000 MHz, frecuencia LO de 0 a 1 MHz, frecuencia IF de 0,5 a 500 MHz, pérdida de conversión de 5,66 a 8,5 dB, aislamiento LO/RF de 35 dB. -
MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODE VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: BF965 El BF965 es un transistor MOSFET de canal N de doble puerta. Esto significa que tiene dos compuertas que permiten un control más preciso sobre la corriente que fluye a través del dispositivo. Esta característica lo hace especialmente útil en aplicaciones de alta frecuencia, como amplificadores de radiofrecuencia (RF). -
TRANSISTOR RF 30W 1GHZ LATERAL N-CH BROADBAND. Marca: MOTOROLA. Referencia: MRF182 -
TRANSISTOR RF 330 MHZ CATV AMPLIFIER. Marca: MOTOROLA. Referencia: MHW3342 Módulo híbrido diseñado específicamente para aplicaciones CATV de 330 MHz. Cuenta con transistores emisores de arsénico con implantación de iones con frecuencia de 6,0 GHz y un sistema de metalización totalmente en oro. -
TRANSISTOR RF AUDIO FREQUENCY SMALL SIGNAL NEC Referencia: 2SC880 El transistor 2SC880 de NEC es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado para aplicaciones de pequeña señal en frecuencias de radiofrecuencia (RF) y audio. Su diseño compacto y características eléctricas lo convierten en una elección popular para una amplia gama de circuitos. -
TRANSISTOR RF DUAL VHF P65/33V 10/20A 115W 224MHZ. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV36 El BLV36 es un transistor de potencia RF de banda ancha VHF, lo que significa que puede operar eficientemente en un amplio rango de frecuencias de radiofrecuencia. Su diseño robusto y sus altas especificaciones lo convierten en una excelente opción para aplicaciones que requieren una amplificación de señal significativa. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN 4 GHZ WIDEBAND. Marca: PHILIPS. Referencia: BFQ34 El Transistor NPN se encuentra encapsulado en un empaque SOT122A de 4 conductores con una tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados del perno. Está destinado principalmente a los controladores y etapas finales de los amplificadores del sistema MATV. También es adecuado para su uso en equipos de banda IV y V de baja potencia. Las resistencias de balasto de emisor difuso y la aplicación de metalización tipo sándwich de oro garantizan un perfil de temperatura óptimo y excelentes propiedades de confiabilidad. El dispositivo también cuenta con capacidades de alto voltaje de salida. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN SILICON. Marca: MOTOROLA o POWER ADVANCED SEMICONDUCTOR. Referencia: TPV590 El transistor TPV590 está diseñado para etapas de pre-controlador y controlador en retransmisores de TV de banda IV y V y amplificadores de transmisión. El TPV590 utiliza un chip metalizado en oro con resistencias de balasto de emisor difuso para mejorar la confiabilidad, la robustez y la linealidad. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN SILICON POWER. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV33 Transistor epitaxial planar de silicio NPN encapsulado en un encapsulado SOT147 de 1/16" con 4 conductores y tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados del perno. -
TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER MOTOROLA/RF Referencia: TPV376 El transistor TPV376 es un dispositivo emisor común diseñado para aplicaciones de banda III de televisión de clase A de alta linealidad (170-230 MHz). -
TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER 1.2A 45V RFG Referencia: TPV593 El transistor TPV593 es un dispositivo emisor común diseñado para aplicaciones de transmisores de televisión de banda IV y V de alta linealidad de clase A. -
TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER 300MA 45V Marca: MOTOROLA. Referencia: TPV591 El TPV591 es un transistor con emisor común diseñado para transmisores de televisión de alta linealidad Clase A Banda IV y V. -
TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER 8A 65V MOTOROLA Referencia: TPV375 -
TRANSISTOR RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TIC Referencia: TP491 -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF AMPLIFIER 34.5DB 5-200MHZ 800MW MOTOROLA Referencia: CA2830C -
TRANSISTOR RF LINEAR WIDEBAND LINEAR AMPLIFIERS MOTOROLA Referencia: CA4800CS -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF LINE 100W 500MHZ 28V MOTOROLA Referencia: MRF275L -
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TRANSISTOR RF 28V 108MHZ. Marca: ST MICROELECTRONICS Referencia: SD1460-3 -
TRANSISTOR RF 28V 2A PIN LARGO MOTOROLA Referencia: TPV8100B. El TPV8100B está diseñado para etapas de salida en amplificadores de transmisores de TV de banda IV y V. Incorpora resistencias de balastro de emisor de alto valor, metalizaciones de oro y ofrece un alto grado de confiabilidad y robustez. El TPV8100B incluye redes de adaptación de entrada y salida dobles y presenta altas impedancias. Puede operar fácilmente en un ancho de banda completo de 470 MHz a 860 MHz en un circuito simple y único. -
TRANSISTOR NPN. RF 60V 25A. Marcas: ASI o ST. Referencia: SD1492-2 El Transistor SD1492-2 es un dispositivo emisor común diseñado para aplicaciones de amplificadores de clase A y AB en transmisores de banda IV y V de televisión, diseñado específicamente para operar en circuitos que manejan señales de alta frecuencia, como aquellas utilizadas en equipos de radio, televisión y comunicaciones.Características principales:
- Alta potencia: Capaz de manejar altas corrientes y voltajes, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren amplificación de señal.
- Alta frecuencia: Diseñado para operar en rangos de frecuencia relativamente altos, como los utilizados en las bandas IV y V de televisión.
- Configuración de emisor común: Esta configuración es común en amplificadores de clase AB, que son eficientes y proporcionan una buena linealidad.
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Últimas unidadesTRANSISTOR RF CASCADABLE SILICON BIPOLAR PHILIPS Referencia: A+ -
MOSFET RF GAIN 0 (cero). Marca: PHILIPS. Referencia: ON4402H-0G
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