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en Venta!SALEMOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLE VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: BF965
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THYRISTOR 35-A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS. Marca: RCA Referencia: 2N3658 Tiristor SCR 200 V 200 A 3 pines (tornillo y 2 pestañas) TO-28AA; Estado sólido RCA Los modelos RCA-2N3658, son rectificadores controlados de silicio totalmente difundidos (tiristores de triodo de bloqueo inverso) diseñados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como inversores de potencia, reguladores de conmutación y aplicaciones de pulsos de alta corriente. Presentan características de apagado rápido, alta dv/dt y alta di/dt y pueden usarse a frecuencias de hasta 25 kHz.
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en Venta!SALETRANSISTOR RF 30W 1GHZ LATERAL N-CH BRAND BAND MOTOROLA Referencia: MRF182
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Últimas unidadesDIODO HYPER DUAL 600V 15A. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: RHRG1560CC. Los RHRG1540CC y RHRG1560CC son diodos duales hiperrápidos con características de recuperación suave (t < 35 ns). Tienen la mitad del tiempo de recuperación de los diodos ultrarrápidos y tienen una construcción epitaxial plana pasivada con iones implantados con nitruro de silicio. Estos dispositivos están diseñados para usarse como diodos de sujeción/rueda libre y rectificadores en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía. Su baja carga almacenada y recuperación suave hiperrápida minimizan el zumbido y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de energía, lo que reduce la pérdida de energía en los transistores de conmutación.
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en Venta!SALETRANSISTOR RF DUAL VHF P65/33V 10/20A 115W 224MHZ PHILIPS Referencia: BLV36
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Últimas unidadesIC QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND SCHMITT-TRIGGER. NXP SEMICONDUCTORS Referencia: HEF4093BP El circuito integrado HEF4093B consta de cuatro circuitos de activación Schmitt. Cada circuito funciona como una compuerta NAND de dos entradas con acción de activación Schmitt en ambas entradas. La compuerta conmuta en diferentes puntos para señales positivas y negativas. La diferencia entre el voltaje positivo (VP) y el voltaje negativo (VN) se define como voltaje de histéresis (VH).
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IC HIGH PERFORMANCE E2CMOS PLD 22V 10H Marca: LATTICE SEMICONDUCTOR Referencia: GAL22V10D-25LJ. El GAL22V10, con un tiempo de retardo de propagación máximo de 4ns, combina un proceso CMOS de alto rendimiento con tecnología de puerta flotante borrable eléctricamente (E2) para proporcionar el mayor rendimiento disponible de cualquier dispositivo 22V10 en el mercado.
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en Venta!SALEÚltimas unidadesMODULO SEMICONDUCTOR DISCRETO 312 AMP 1200V IXYS Referencia: MDD312-12N1
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en Venta!SALEÚltimas unidadesTRANSISTOR RF NPN SILICON POWER ADVANCED SEMICONDUCTOR Referencia: TPV590
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IC COMPARADOR DIFERENCIAL CUÁDRUPLE DE 30 V. Referencia: LM2901. MARCA: TEXAS INSTRUMENTS Este dispositivo consta de cuatro comparadores de tensión de precisión independientes, diseñados específicamente para funcionar con una única fuente de alimentación en un amplio rango de tensiones. También es posible el funcionamiento con fuentes de alimentación divididas.
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en Venta!SALETRANSISTOR RF NPN SILICON POWER MOTOROLA/RF Referencia: TPV376
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