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SEMICONDUCTORES

  • IRFB9N65A: Mosfet 8.5a 650v

    $14.480 IVA INCLUIDO
    MOSFET 8.5A 650V IR Referencia: IRFB9N65A
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  • MOSFET N-CH 60V 45A ON SEMICONDUCTOR Referencia: NTP45N06L
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  • TRANSISTOR RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TIC Referencia: TP491
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  • Últimas unidades
    CAPACITOR ELECTROLITICO 100UF 350V XICOM Referencia: 140-XRL350V100-RC
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  • IC OCTAL D TYPE FLIP FLOP CON RESET POSITIVE EDGE. Marca: NXP SEMICONDUCTORS. Referencia: 74HC273D IC OCTAL D TYPE FLIP FLOP CON RESET POSITIVE EDGE. Marca: NXP SEMICONDUCTORS. Referencia: 74HC273D
    IC OCTAL D TYPE FLIP FLOP CON RESET POSITIVE EDGE NXP SEMICONDUCTORS Referencia: 74HC273D
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  • OSCILADOR 32MHZ DIP-4 HCMOS / TTL VISHAY Referencia: XO52CTFLNA32M
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  • CAPACITOR ELECTROLITICO 330UF 100V 105C CHEMI-CON Referencia: EKYA101ELL331ML25S
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  • IC MCU 8-BIT PIC16 PIC RISC 14KB FLASH 5V. Marca: MICROCHIPS. Referencia: PIC16F876A-I/SO
    IC MCU 8-BIT PIC16 PIC RISC 14KB FLASH 5V MICROCHIPS Referencia: PIC16F876A-I/SO Microcontroladores de 8 bits - MCU 14KB 368 RAM 22 I/O. Mayor información en la ficha técnica en el link arriba.
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  • IC AMPLIFICADOR QUAD RAIL TO RAIL INPUT AND OUTPUT NATIONAL SEMICONDUCTOR Referencia: LMC6484AIM
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  • Últimas unidades
    MEMORIA 8192-WORD X 8-BIT HIGH SPEED STATIC RAM FREESCALE SEMICONDUCTOR Referencia: HM6264ALFP-15T
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  • TRANSISTOR HIGH POWER NPN SILICON MOTOROLA Referencia: BUX98C
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  • TRANSISTOR DARLINGTON NPN EPITAXIAL BASE POWR ASI/PHILIPS Referencia: BDX67C
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  • VARISTOR 250VRMS MOV 24 MM RADIAL. Marca: AVX. Referencia: VE24M00251K
    VARISTOR 250VRMS MOV 24 MM RADIAL AVX Referencia: VE24M00251K
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  • Últimas unidades
    DIODO RECTIFICADOR 100V-200V 10A NIHON INTER ELECTRONICS Referencia: F10P40F
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  • DIODO TVS 1.5KW 30V HI REL 5% UNI-DIRECTIONAL SMCG30A DIODO TVS 1.5KW 30V HI REL 5% UNI-DIRECTIONAL VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia
    Últimas unidades
    DIODO TVS 1.5KW 30V HI REL 5% UNI-DIRECTIONAL VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: SMCG30A
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  • BAQUELA MECANICA GENERICO Referencia: BA-MEC BAQUELA MECANICA GENERICO Referencia: BA-MEC

    BA-MEC: Baquela Mecánica

    $16.089 IVA INCLUIDO
    BAQUELA MECANICA GENERICO Referencia: BA-MEC
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  • Últimas unidades
    TRANSISTOR 40A NPN SILICON POWER METAL MOTOROLA Referencia: BUV22
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  • MOSFET N-CH HIGH 500V 20AMP IR Referencia: IRF460
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  • DIODO 200V 30A ULTRA FAST DUAL 2 PINES RURG3020
    DIODO 200V 30A ULTRA FAST DUAL 2 PINES. Marca: INTERSIL. Referencia: RURG3020. El RURG3020CC es un diodo dual ultrarrápido con baja caída de tensión directa. Este dispositivo está diseñado para usarse como diodo de rueda libre y de sujeción en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía. Es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas y aplicaciones industriales.
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  • IC 8-BIT IDENTITY COMPARATORS. Marca: TEXAS INSTRUMENTS Referencia: SN74ALS520N
    IC 8-BIT IDENTITY COMPARATORS. Marca: TEXAS INSTRUMENTS Referencia: SN74ALS520N
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  • HD74LS86 IC QUADRUPLE 2 INPUT EXCLUSIVE OR GATES HD74LS86
    IC QUADRUPLE 2 INPUT EXCLUSIVE OR GATES HITACHI SEMICUNDUCTOR Referencia: HD74LS86
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  • IC COUNTER SHIFT REGISTERS PARALLEL-ACCESS SHIFT MOTOROLA Referencia: SN74LS95BN IC COUNTER SHIFT REGISTERS PARALLEL-ACCESS SHIFT. Marca: MOTOROLA. Referencia: SN74LS95BN
    Últimas unidades
    IC COUNTER SHIFT REGISTERS PARALLEL-ACCESS SHIFT MOTOROLA Referencia: SN74LS95BN
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  • IC 256 BIT BIPOLAR PROM AM27S19ADC
    IC 256 BIT BIPOLAR PROM AMD ADVANCED MICRO DEVICES Referencia: AM27S19ADC
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  • RESISTENCIA RF 20W 50 OHMIOS EMC Referencia: THD 6.T
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  • TRANSISTOR PNP GB BJT 350V 2A 3-PIN ASI Referencia: 2N6213
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  • TRANSISTOR NPN 3-PIN MOTOROLA Referencia: BCY59VII
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  • MOSFET N-CH 80V 190A RUICHIPS Referencia: RU190N08Q
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  • DIODO HYPER DUAL 600V 15A. Marca
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    DIODO HYPER DUAL 600V 15A. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: RHRG1560CC. Los RHRG1540CC y RHRG1560CC son diodos duales hiperrápidos con características de recuperación suave (t < 35 ns). Tienen la mitad del tiempo de recuperación de los diodos ultrarrápidos y tienen una construcción epitaxial plana pasivada con iones implantados con nitruro de silicio. Estos dispositivos están diseñados para usarse como diodos de sujeción/rueda libre y rectificadores en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía. Su baja carga almacenada y recuperación suave hiperrápida minimizan el zumbido y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de energía, lo que reduce la pérdida de energía en los transistores de conmutación.
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