Nombre: TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON

Complemento del BD137

Referencia: BD138

• Polaridad del transistor: PNP
• Configuración: Single
• Corriente CC máxima de colector: 1A
• Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 60V
• Tensión VCBO colector-base: 60V
• Voltaje VEBO emisor-base: 5V
• Voltaje de saturación colector-emisor: 500mV
• Dp – Disipación de potencia: 1.25W
• Ganancia de corriente continua (hFE): de 40 a 160.
• Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C

Marca: ASI

Empaque: TO-126

Precio por: Unidad

Ficha Técnica: BD138 por On semiconductor