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ON4402H-4G: Mosfet RF Gain 4
Nombre: MOSFET RF GAIN 4
Referencia: ON4402H-4G
- Voltajes Máx:
- Vgate-source:20V.
- Vdrain-source:110V
- Corriente drain: 9A
- Ganancia: 4
Marca: PHILIPS
Empaque: .28 4L STUD
Precio por: Unidad
Ficha Técnica: ON4402H-4G
SKU: 9-11-37
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Más acerca de este producto:
MOSFET RF GAIN 4 PHILIPPINES Referencia: ON4402H-4G
El transistor ON4402H es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Su estructura interna y características lo hacen ideal para amplificar señales de alta frecuencia con baja distorsión y alta eficiencia.
Categories: RF TRANSISTORES Y MOSFETS, SEMICONDUCTORESTags: 0090011000037, 9-11-37, datasheet, MOSFET RF GAIN 4, ON4402H-4G, PHILIPS, pinout, RF TRANSISTORES Y MOSFETS, SEMICONDUCTORES, SMD
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