ON4402H-3G: Mosfet RF Gain 3

Nombre: MOSFET RF GAIN 3

Referencia: ON4402H-3G

  • Voltajes Máx:
    • Vgate-source:20V.
    • Vdrain-source:110V
  • Corriente drain: 9A
  • Ganancia: 3

Marca: PHILIPS

Empaque: .28 4L STUD

Precio por: Unidad

Ficha Técnica: ON4402H-3G

SKU: 9-11-54

2 disponibles

2 disponibles

🔒 Compra protegida con tus medios de pago favoritos:
Paga con Wompi Puedes pagar con transferencia Bancolombia Pregunta por nuestro QR para tu billetera virtual Paga con tu Tarjeta debito Visa Paga con tu Tarjeta debito Master Card

$641.172 IVA INCLUIDO

2 disponibles

Descargar PDF

Más acerca de este producto:

MOSFET RF GAIN 3 PHILLIPS Referencia: ON4402H-3G

El transistor ON4402H es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Su estructura interna y características lo hacen ideal para amplificar señales de alta frecuencia con baja distorsión y alta eficiencia.

2 disponibles

También te puede interesar…