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ON4402H-3G: Mosfet RF Gain 3
Nombre: MOSFET RF GAIN 3
Referencia: ON4402H-3G
- Voltajes Máx:
- Vgate-source:20V.
- Vdrain-source:110V
- Corriente drain: 9A
- Ganancia: 3
Marca: PHILIPS
Empaque: .28 4L STUD
Precio por: Unidad
Ficha Técnica: ON4402H-3G
SKU: 9-11-54
2 disponibles
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$641.172 IVA INCLUIDO
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Más acerca de este producto:
MOSFET RF GAIN 3 PHILLIPS Referencia: ON4402H-3G
El transistor ON4402H es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Su estructura interna y características lo hacen ideal para amplificar señales de alta frecuencia con baja distorsión y alta eficiencia.
2 disponibles
Categories: RF TRANSISTORES Y MOSFETS, SEMICONDUCTORESTags: 0090011000054, 9-11-54, datasheet, MOSFET RF GAIN 3, ON4402H-3G, PHILIPS, PHILLIPS, pinout, RF TRANSISTORES Y MOSFETS, SEMICONDUCTORES, SMD
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