Nombre: MOSFET N-CH 500V 50W 2.5A

Referencia: IRF820A

• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad de transistor: N
• Pd – Máxima disipación de potencia: 50 W
• |Vds| – Voltaje máximo drenador – fuente: 500 V
• |Vgs| – Voltaje máximo fuente – puerta: 30 V
• |Id| – Corriente continua de drenaje: 2.5 A
• Tj – Temperatura máxima de unión: 150 °C
• Rds(on) – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3Ohm

Marca: IR

Empaque: TO-220

Precio por: Unidad

Ficha técnica: IRF820A