Nombre: MOSFET N-CH 100V 1.3A DIP-4

Referencia: IRFD120PBF

• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad de transistor: N
• Pd – Máxima disipación de potencia: 1.3 W
• |Vds| – Voltaje máximo drenador – fuente: 100 V
• |Vgs| – Voltaje máximo fuente – puerta: 20 V
• |Id| – Corriente continua de drenaje: 1.3 A
• Tj – Temperatura máxima de unión: 175 °C
• Rds(on) – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Marca: IR

Empaque: HD-1

Precio por: Unidad

Ficha técnica: IRFD120PBF