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TRANSISTOR RF AUDIO FREQUENCY SMALL SIGNAL NEC Referencia: 2SC880 El transistor 2SC880 de NEC es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado para aplicaciones de pequeña señal en frecuencias de radiofrecuencia (RF) y audio. Su diseño compacto y características eléctricas lo convierten en una elección popular para una amplia gama de circuitos. -
POWER SPLITTER/COMBINER 8 PINES. Marca: MINI-CIRCUITS. Referencia: SRA-2 El SRA-2 es un mezclador de RF con frecuencia de RF de 0 a 1000 MHz, frecuencia LO de 0 a 1 MHz, frecuencia IF de 0,5 a 500 MHz, pérdida de conversión de 5,66 a 8,5 dB, aislamiento LO/RF de 35 dB. -
MOSFET N-CH 500V 2.5W 2.5A. Marca: IR. Referencia: IRF820A El IRF820A es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Se caracteriza por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes moderadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones. -
MOSFET N-CH 500V 0.33W 14A. Marca: IR. Referencia: IRFP450 El IRFP450 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Es conocido por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes elevadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones industriales y de potencia. -
Últimas unidadesMOSFET N-CH 100V 1.3A DIP-4. Marca: IR. Referencia: IRFD120PBF El IRFD120PBF es un MOSFET de canal N de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja resistencia en estado encendido, ofreciendo eficiencia y capacidad de manejo de corriente en un encapsulado DIP de 4 pines. -
INDUCTANCIA 7UH 1MHZ 20% 6A 20MOHM. Marca: FASTRON Referencia: MESC-7ROM-01. La inductancia MESC-7ROM-01 de FASTRON es un componente de 7 µH con una tolerancia de ±20%, diseñado para operar a 1 MHz y soportar una corriente máxima de 6A, ideal para aplicaciones en filtros, circuitos de sintonización y fuentes de alimentación. -
Últimas unidadesCRISTAL FRECUENCIA 11.0592 GENERICO Referencia: EA1075 11.0592 -
TRANSISTOR RF POWER TRANS NPN 30V 800MHZ STMICROELECTRONICS Referencia: 2N3866 Este transistor se destaca por su capacidad para manejar una potencia considerable en comparación con otros transistores de señal pequeña, lo cual es crucial en aplicaciones de RF donde se necesita amplificar señales de potencia para transmitir o excitar etapas de mayor potencia. -
TRANSISTOR PROPOSITO GENERAL UNIJUNCTION. Marca: NJS. Referencia: 2N1671A. El 2N1671A y el 2N1671 son un transistores unijuntura (UJT) de propósito general, utilizados en una variedad de aplicaciones, desde osciladores de relajación hasta circuitos de disparo y temporización. Estos transistores tienen una construcción de lecho fijo y están sellados herméticamente en una carcasa soldada. Todos los pines están aislados eléctricamente de la carcasa. -
TRANSISTOR NPN SILICON SWITCHING. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BUV28 Transistor de alta velocidad adecuado para aplicaciones de bajo voltaje. Control de motor de reguladores de conmutación de convertidores de alta frecuencia y eficiencia. -
TRANSISTOR NPN SILICON POWER ASI/NJS Referencia: BUS13 El transistor BUS13 de la marca ASI con empaque TO-3 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones que demandan alta corriente y voltaje. El empaque TO-3, metálico y de mayor tamaño, permite una mejor disipación de calor, lo cual es crucial para transistores que manejan potencias elevadas. -
TRANSISTOR NPN SILICON POWER. Marca: PHILIPS. Referencia: BDT93 -
TRANSISTOR PNP SILICON. Marca: PHILIPS. Referencia: BC177A Transistor para Conmutación y amplificación de uso general. -
TRANSISTOR PNP SILICON SWITCHING. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N4033. -
TRANSISTOR PNP 40V 0.6A SILICON PLANAR SWITCHING MOTOROLA Referencia: 2N2907A -
TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N3906 El 2N3906 es un transistor de unión bipolar (BJT) PNP de baja señal, comúnmente utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación. El 2N3906 tiene equivalentes de otros fabricantes, como el BC557 o el NTE159. -
TRANSISTOR PNP SILICON AF HIGH CURRENT GAIN MOTOROLA Referencia: BC327-25 -
TRANSISTOR PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS SWITCHES. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N2905 El 2N2905 es un tipo de transistor de potencia, específicamente un transistor plano epitaxial PNP. Está diseñado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia y se utiliza a menudo en fuentes de alimentación, circuitos de control de motores y otros dispositivos electrónicos de alta potencia. El 2N2905 tiene una alta ganancia de corriente y puede manejar altos niveles de voltaje y corriente. -
Últimas unidadesTRANSISTOR PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER. Marca: MUSIC SEMICONDUCTOR. Referencia: MPS6523. El MPS6523 es un chip controlador de interfaz periférica (PIC) que se utiliza en computadoras más antiguas, particularmente en la serie Amiga. Sirve como puente entre el bus principal del sistema y varios periféricos, facilitando la comunicación entre la CPU y dispositivos como unidades de disquete, puertos serie y controladores de teclado. -
TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BD434. Los BD433, BD435 y BD437 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio en el paquete de plástico Jedec SOT-32, destinados a su uso en aplicaciones de conmutación y lineales de potencia media. -
TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD138. El BD138 es un transistor bipolar PNP de potencia media, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en circuitos de audio y aplicaciones generales. -
TRANSISTOR PNP EPITAXIAL PLANAR. Marca: MATSUSHITA (PANASONIC). Referencia: 2SA684 El 2SA684 es un tipo de transistor NPN, de unión bipolar (BJT). A menudo se utiliza en circuitos electrónicos que requieren amplificación o conmutación. -
TRANSISTOR PNP DARLINGTON CONNECTED SILICON POWER ASI Referencia: TIP645. El transistor de potencia bipolar Darlington TIP645, está diseñado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia y amplificadores de uso general. -
TRANSISTOR NPN SWITCHING MOTOROLA Referencia: 2N2219A -
TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA. Marca: ASI. Referencia: BDY58R El BDY58R es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación, amplificadores de audio y circuitos de conmutación. -
TRANSISTOR NPN SILICON SWITCHING. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N2369A Es un transistor NPN plano epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación saturada de ultra alta velocidad. -
TRANSISTOR NPN SILICON POWER. Marca: RCA. Referencia: 2N3054 El 2N3054 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia media, ampliamente utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación. -
TRANSISTOR NPN SILICON POWER DARLINGTON. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BD651. El BD651 es un transistor Darlington NPN de alta potencia con capacidad para manejar altos voltajes y corrientes, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en fuentes de alimentación, control de motores y sistemas de audio. -
TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N2484 El 2N2484 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN diseñado para aplicaciones de baja señal. -
TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR SWITCHING STMICROELECTRONICS Referencia: 2N708. El 2N708 es sensible a la electricidad estática, por lo que se recomienda tomar precauciones al manipularlo. -
TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL. Marca: ASI Referencia: 2N1711. El 2N1711 es un transistor versátil que se puede utilizar en una variedad de aplicaciones. Su bajo nivel de ruido lo hace especialmente adecuado para su uso en amplificadores de audio y otros circuitos donde se requiere una señal limpia. -
TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL PLANAR. Marca: TFK. Referencia: BC338N. El BC338N es un transistor NPN de unión bipolar (BJT) de baja potencia y propósito general, adecuado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos electrónicos. -
TRANSISTOR NPN SILICON AMPLIFIER ASI Referencia: 2N6558. El 2N6558 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN diseñado para aplicaciones de alta tensión. Pude funcionar como equivalente de: MMBT6428LT1 (Leshan Radio Company), MBT6429DW1T1 (ON Semiconductor), BC237 (ON Semiconductor), BD525 (Motorola). Por favor consulta la ficha técnica del fabricante. -
TRANSISTOR NPN SILICON AF HIGH CURRENT GAIN PHILIPS/MOTOROLA Referencia: BC338-25 Adecuado para etapas de controlador AF y etapas de salida de baja potencia Complemento para BC327 / BC328 -
TRANSISTOR NPN AF MEDIUM PW AMPLIFIERS & SWITCHES. Marca: ASP. Referencia: 2N3019 El 2N3019 es un transistor NPN epitaxial plano de silicio en caja metálica Jedec TO-39, diseñado para aplicaciones de amplificadores de alta corriente y alta frecuencia. Presenta alto voltaje de ganancia y baja saturación. -
TRANSISTOR NPN POWER. Marca: ASI. Referencia: BD230 -
TRANSISTOR NPN LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO STMICROELECTRONICS Referencia: BC107B El transistor BC107B es un dispositivo sensible a la electricidad estática. Se recomienda tomar precauciones al manipularlo para evitar daños. -
TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON ASI Referencia: BD137. El BD137 es un transistor NPN de propósito general, encapsulado en TO-126, con una tensión de ruptura colector-base (VCEO) de 60V y una corriente continua máxima del colector (IC) de 1A. Se caracteriza por su alta ganancia de corriente y su capacidad para operar a altas frecuencias, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación. -
TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD235 El BD235 es un tipo de transistor de potencia NPN diseñado para aplicaciones de media potencia tanto lineales como de conmutación. Su estructura interna se basa en una tecnología planar con un diseño de "isla de base", lo que le confiere un alto rendimiento y una baja tensión de saturación. -
TRANSISTOR DARLINGTON NPN EPITAXIAL BASE POWR. Marcas: ASI - PHILIPS. Referencia: BDX67C El BDX67C es un tipo de transistor de potencia NPN Darlington diseñado para aplicaciones que requieren un alto rendimiento y capacidad de conducción de corriente. Estos transistores son ampliamente utilizados en circuitos de potencia, como amplificadores de audio, controladores de motores y fuentes de alimentación conmutadas. -
TRANSISTOR PROPOSITO GENERAL LEAD SMALL SIGNAL. Marca: ASI. Referencia: BSY51A -
TRANSISTOR PROPOSITO GENERAL LEAD SMALL SIGNAL. Marca: MICRONIX INTEGRATED SYSTEMS. Referencia: BF178 El BF178 es un transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de propósito general. Esto significa que es un componente electrónico semiconductor que permite controlar el flujo de corriente eléctrica en un circuito, amplificando pequeñas señales. -
Últimas unidadesTRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS PNP SILICON. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: MPSA92 El MPSA92 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación. Este dispositivo ofrece un alto rendimiento en aplicaciones de baja potencia, con una corriente máxima de colector de 500 mA y una tensión de colector-emisor de hasta 300 V. Su alta ganancia de corriente (hFE) y su excelente capacidad de respuesta lo hacen ideal para circuitos de señal y conmutación en dispositivos electrónicos. Además, su encapsulado TO-92 facilita su integración en diversas placas de circuito. -
TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN SILICON. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: MPSA42 -
TRANSISTOR HIGH POWER NPN SILICON MOTOROLA Referencia: BUX98C Es un transistor bipolar NPN de silicio, diseñado para aplicaciones industriales que requieren manejar altas corrientes y voltajes. Su encapsulado TO-3 metálico le permite disipar el calor de manera eficiente, lo cual es esencial para su funcionamiento en condiciones exigentes. -
![TRANSISTOR DARLINGTON HIGH POWER. Marca: FUJI[FUJI ELECTRIC]. Referencia: 2SD1073](https://vicartechz.com/wp-content/uploads/2021/07/9-5-136-300x300.webp)
TRANSISTOR DARLINGTON HIGH POWER. Marca: FUJI[FUJI ELECTRIC]. Referencia: 2SD1073 El 2SD1073 es un transistor Darlington NPN de alta potencia, ideal para aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente y la capacidad de manejar cargas significativas. Su versatilidad y robustez lo convierten en un componente muy utilizado en electrónica de potencia. -
REGULADOR DE VOLTAJE FIXED. Marca: MOTOROLA. Referencia: MA7815UC -
TRANSISTOR DARLINGTON 120V NTE ELECTRONICS Referencia: NTE2344 El NTE2344 es un transistor Darlington PNP de silicio, ideal para aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente y bajo ruido. Su versatilidad y robustez lo convierten en un componente muy utilizado en electrónica. El NTE2344 es un transistor Darlington PNP de silicio, ideal para aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente y bajo ruido. Su versatilidad y robustez lo convierten en un componente muy utilizado en electrónica.
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MESC-7ROM-01: Inductancia 7uH 1MHz 20% 6A 20mohm 
2N3054: Transistor NPN Silicon Power 60V 4A