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IC COMPARADOR DIFERENCIAL CUÁDRUPLE DE 30 V. Referencia: LM2901. MARCA: TEXAS INSTRUMENTS Este dispositivo consta de cuatro comparadores de tensión de precisión independientes, diseñados específicamente para funcionar con una única fuente de alimentación en un amplio rango de tensiones. También es posible el funcionamiento con fuentes de alimentación divididas. -
Últimas unidadesIC QUAD 2 INPUT POSITIVE NAND GATES 0 TO 70. TEXAS INSTRUMENTS. Referencia:SN7400N-T COMPUERTAS NAND POSITIVAS DE ENTRADA CUÁDRUPLE DE 2, DE 0 A 70 Este dispositivo contiene cuatro puertas independientes, cada una de las cuales realiza la función lógica NAND. -
IC QUAD 2 INPUT POSITIVE NAND GATES 0 TO 70. Marca: NATIONAL SEMICONDUCTOR. Referencia: DM74LS00N COMPUERTAS NAND POSITIVAS DE ENTRADA CUÁDRUPLE DE 2, DE 0 A 70 Este dispositivo contiene cuatro puertas independientes, cada una de las cuales realiza la función lógica NAND. -
IC QUAD 2 INPUT NAND GATE. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: 74F00PC. Este dispositivo contiene cuatro compuertas independientes, cada una de las cuales realiza la función lógica NAND. Para mayor información, le invitamos a visitar la ficha técnica en el link correspondiente. -
Últimas unidadesIC QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND SCHMITT-TRIGGER. NXP SEMICONDUCTORS Referencia: HEF4093BP El circuito integrado HEF4093B consta de cuatro circuitos de activación Schmitt. Cada circuito funciona como una compuerta NAND de dos entradas con acción de activación Schmitt en ambas entradas. La compuerta conmuta en diferentes puntos para señales positivas y negativas. La diferencia entre el voltaje positivo (VP) y el voltaje negativo (VN) se define como voltaje de histéresis (VH). -
Últimas unidadesMEMORIA 64K 8K X 8 CMOS EEPROM MICROCHIPS TECHNOLOGY Referencia: 28C64A-25/P El 28C64A de Microchip Technology Inc., es un PROM CMOS de 64K no volátil borrable eléctricamente. Se accede al 28C64A como una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura sin necesidad de componentes externos. -
Últimas unidadesMOSFET RF GAIN 3 PHILLIPS Referencia: ON4402H-3G El transistor ON4402H es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Su estructura interna y características lo hacen ideal para amplificar señales de alta frecuencia con baja distorsión y alta eficiencia. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF UHF POWER LDMOS. Marca: AMPLEON. Referencia: BLF2045 Transistor de potencia LDMOS de 30 W para aplicaciones de estaciones base en frecuencias de 1800 a 2200 MHz. -
TRANSISTOR RF UHF LINEAR PUSH-PULL POWER. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV57 El transistor contiene dos secciones de transistores epitaxiales planares de silicio n-p-n en un solo paquete para usarse como amplificador push-pull, destinado principalmente para su uso en transmisores y retransmisores de televisión de ultra alta frecuencia lineal (UHF). El empaque es de tipo brida de 8 conductores con una tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados de la brida. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF HIGH FRECUENCY 200W 170/230MHZ STMICROELECTRONICS Referencia: SD1485-1 El SD1485 es un transistor planar NPN de silicio epitaxial metalizado en oro que utiliza resistencias de balasto de emisor difuso para operación de clase AB de alta linealidad en transmisores y transpositores de televisión de banda III y VHF. -
MOSFET RF GAIN 0 (cero). Marca: PHILIPS. Referencia: ON4402H-0G -
TRANSISTOR NPN. RF 60V 25A. Marcas: ASI o ST. Referencia: SD1492-2 El Transistor SD1492-2 es un dispositivo emisor común diseñado para aplicaciones de amplificadores de clase A y AB en transmisores de banda IV y V de televisión, diseñado específicamente para operar en circuitos que manejan señales de alta frecuencia, como aquellas utilizadas en equipos de radio, televisión y comunicaciones.Características principales:
- Alta potencia: Capaz de manejar altas corrientes y voltajes, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren amplificación de señal.
- Alta frecuencia: Diseñado para operar en rangos de frecuencia relativamente altos, como los utilizados en las bandas IV y V de televisión.
- Configuración de emisor común: Esta configuración es común en amplificadores de clase AB, que son eficientes y proporcionan una buena linealidad.
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TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER 1.2A 45V RFG Referencia: TPV593 El transistor TPV593 es un dispositivo emisor común diseñado para aplicaciones de transmisores de televisión de banda IV y V de alta linealidad de clase A. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN SILICON POWER. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV33 Transistor epitaxial planar de silicio NPN encapsulado en un encapsulado SOT147 de 1/16" con 4 conductores y tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados del perno. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN SILICON. Marca: MOTOROLA o POWER ADVANCED SEMICONDUCTOR. Referencia: TPV590 El transistor TPV590 está diseñado para etapas de pre-controlador y controlador en retransmisores de TV de banda IV y V y amplificadores de transmisión. El TPV590 utiliza un chip metalizado en oro con resistencias de balasto de emisor difuso para mejorar la confiabilidad, la robustez y la linealidad. -
Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN 4 GHZ WIDEBAND. Marca: PHILIPS. Referencia: BFQ34 El Transistor NPN se encuentra encapsulado en un empaque SOT122A de 4 conductores con una tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados del perno. Está destinado principalmente a los controladores y etapas finales de los amplificadores del sistema MATV. También es adecuado para su uso en equipos de banda IV y V de baja potencia. Las resistencias de balasto de emisor difuso y la aplicación de metalización tipo sándwich de oro garantizan un perfil de temperatura óptimo y excelentes propiedades de confiabilidad. El dispositivo también cuenta con capacidades de alto voltaje de salida. -
TRANSISTOR RF DUAL VHF P65/33V 10/20A 115W 224MHZ. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV36 El BLV36 es un transistor de potencia RF de banda ancha VHF, lo que significa que puede operar eficientemente en un amplio rango de frecuencias de radiofrecuencia. Su diseño robusto y sus altas especificaciones lo convierten en una excelente opción para aplicaciones que requieren una amplificación de señal significativa. -
TRANSISTOR RF 330 MHZ CATV AMPLIFIER. Marca: MOTOROLA. Referencia: MHW3342 Módulo híbrido diseñado específicamente para aplicaciones CATV de 330 MHz. Cuenta con transistores emisores de arsénico con implantación de iones con frecuencia de 6,0 GHz y un sistema de metalización totalmente en oro. -
MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODE VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: BF965 El BF965 es un transistor MOSFET de canal N de doble puerta. Esto significa que tiene dos compuertas que permiten un control más preciso sobre la corriente que fluye a través del dispositivo. Esta característica lo hace especialmente útil en aplicaciones de alta frecuencia, como amplificadores de radiofrecuencia (RF). -
POWER SPLITTER/COMBINER 8 PINES. Marca: MINI-CIRCUITS. Referencia: SRA-2 El SRA-2 es un mezclador de RF con frecuencia de RF de 0 a 1000 MHz, frecuencia LO de 0 a 1 MHz, frecuencia IF de 0,5 a 500 MHz, pérdida de conversión de 5,66 a 8,5 dB, aislamiento LO/RF de 35 dB. -
MOSFET N-CH 500V 2.5W 2.5A. Marca: IR. Referencia: IRF820A El IRF820A es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Se caracteriza por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes moderadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones. -
MOSFET N-CH 500V 0.33W 14A. Marca: IR. Referencia: IRFP450 El IRFP450 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Es conocido por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes elevadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones industriales y de potencia. -
Últimas unidadesMOSFET N-CH 100V 1.3A DIP-4. Marca: IR. Referencia: IRFD120PBF El IRFD120PBF es un MOSFET de canal N de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja resistencia en estado encendido, ofreciendo eficiencia y capacidad de manejo de corriente en un encapsulado DIP de 4 pines. -
TRANSISTOR PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL. Marca: NXP SEMICONDUCTORS. Referencia: BC857B Transistor de propósito general, SMD -
TRANSISTOR PROPOSITO GENERAL UNIJUNCTION. Marca: NJS. Referencia: 2N1671A. El 2N1671A y el 2N1671 son un transistores unijuntura (UJT) de propósito general, utilizados en una variedad de aplicaciones, desde osciladores de relajación hasta circuitos de disparo y temporización. Estos transistores tienen una construcción de lecho fijo y están sellados herméticamente en una carcasa soldada. Todos los pines están aislados eléctricamente de la carcasa. -
TRANSISTOR NPN SILICON SWITCHING. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BUV28 Transistor de alta velocidad adecuado para aplicaciones de bajo voltaje. Control de motor de reguladores de conmutación de convertidores de alta frecuencia y eficiencia. -
TRANSISTOR NPN SILICON POWER. Marca: PHILIPS. Referencia: BDT93 -
TRANSISTOR PNP SILICON. Marca: PHILIPS. Referencia: BC177A Transistor para Conmutación y amplificación de uso general. -
TRANSISTOR PNP SILICON SWITCHING. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N4033. -
TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N3906 El 2N3906 es un transistor de unión bipolar (BJT) PNP de baja señal, comúnmente utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación. El 2N3906 tiene equivalentes de otros fabricantes, como el BC557 o el NTE159. -
TRANSISTOR PNP SILICON DARLINGTON HIGH COLLECTOR. Marca: NXP SEMICONDUCTORS. Referencia: BSP62 -
TRANSISTOR PNP SILICON AF HIGH CURRENT GAIN MOTOROLA Referencia: BC327-25 -
Últimas unidadesTRANSISTOR PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER. Marca: MUSIC SEMICONDUCTOR. Referencia: MPS6523. El MPS6523 es un chip controlador de interfaz periférica (PIC) que se utiliza en computadoras más antiguas, particularmente en la serie Amiga. Sirve como puente entre el bus principal del sistema y varios periféricos, facilitando la comunicación entre la CPU y dispositivos como unidades de disquete, puertos serie y controladores de teclado. -
TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BD434. Los BD433, BD435 y BD437 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio en el paquete de plástico Jedec SOT-32, destinados a su uso en aplicaciones de conmutación y lineales de potencia media. -
TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD138. El BD138 es un transistor bipolar PNP de potencia media, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en circuitos de audio y aplicaciones generales. -
TRANSISTOR PNP EPITAXIAL PLANAR. Marca: MATSUSHITA (PANASONIC). Referencia: 2SA684 El 2SA684 es un tipo de transistor NPN, de unión bipolar (BJT). A menudo se utiliza en circuitos electrónicos que requieren amplificación o conmutación. -
TRANSISTOR PNP DARLINGTON CONNECTED SILICON POWER ASI Referencia: TIP645. El transistor de potencia bipolar Darlington TIP645, está diseñado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia y amplificadores de uso general. -
TRANSISTOR NPN SWITCHING MOTOROLA Referencia: 2N2219A -
TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA. Marca: ASI. Referencia: BDY58R El BDY58R es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación, amplificadores de audio y circuitos de conmutación. -
TRANSISTOR NPN SILICON SWITCHING. Marca: MOTOROLA. Referencia: 2N2369A Es un transistor NPN plano epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación saturada de ultra alta velocidad. -
TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL. Marca: ASI Referencia: 2N1711. El 2N1711 es un transistor versátil que se puede utilizar en una variedad de aplicaciones. Su bajo nivel de ruido lo hace especialmente adecuado para su uso en amplificadores de audio y otros circuitos donde se requiere una señal limpia. -
TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON ASI Referencia: BD137. El BD137 es un transistor NPN de propósito general, encapsulado en TO-126, con una tensión de ruptura colector-base (VCEO) de 60V y una corriente continua máxima del colector (IC) de 1A. Se caracteriza por su alta ganancia de corriente y su capacidad para operar a altas frecuencias, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación. -
Últimas unidadesTRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS PNP SILICON. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: MPSA92 El MPSA92 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación. Este dispositivo ofrece un alto rendimiento en aplicaciones de baja potencia, con una corriente máxima de colector de 500 mA y una tensión de colector-emisor de hasta 300 V. Su alta ganancia de corriente (hFE) y su excelente capacidad de respuesta lo hacen ideal para circuitos de señal y conmutación en dispositivos electrónicos. Además, su encapsulado TO-92 facilita su integración en diversas placas de circuito. -
TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN SILICON. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: MPSA42 -
![TRANSISTOR DARLINGTON HIGH POWER. Marca: FUJI[FUJI ELECTRIC]. Referencia: 2SD1073](https://vicartechz.com/wp-content/uploads/2021/07/9-5-136-300x300.webp)
TRANSISTOR DARLINGTON HIGH POWER. Marca: FUJI[FUJI ELECTRIC]. Referencia: 2SD1073 El 2SD1073 es un transistor Darlington NPN de alta potencia, ideal para aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente y la capacidad de manejar cargas significativas. Su versatilidad y robustez lo convierten en un componente muy utilizado en electrónica de potencia. -
REGULADOR DE VOLTAJE FIXED. Marca: MOTOROLA. Referencia: MA7815UC -
TRANSISTOR DARLINGTON 120V NTE ELECTRONICS Referencia: NTE2344 El NTE2344 es un transistor Darlington PNP de silicio, ideal para aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente y bajo ruido. Su versatilidad y robustez lo convierten en un componente muy utilizado en electrónica. El NTE2344 es un transistor Darlington PNP de silicio, ideal para aplicaciones que requieren una alta ganancia de corriente y bajo ruido. Su versatilidad y robustez lo convierten en un componente muy utilizado en electrónica. -
TRANSISTOR BIPOLAR NPN 150V 50A NTE ELECTRONICS Referencia: NTE387 El NTE387 es un transistor bipolar NPN de silicio, diseñado para aplicaciones de alta potencia. Esto significa que puede manejar corrientes eléctricas significativas y voltajes elevados. Se utiliza comúnmente en circuitos donde se requiere amplificar señales, conmutar cargas o actuar como un interruptor controlado.
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MPS6523: Transistor PNP General Purpose Amplifier 25V 0.1A 
BF37931E: Puente Rectificador Monofásico 10-35a 
BD434: Transistor PNP Epitaxial Silicon 22V 4A 
NTE2344: Transistor Darlington 120v