MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODE VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: BF965 El BF965 es un transistor MOSFET de canal N de doble puerta. Esto significa que tiene dos compuertas que permiten un control más preciso sobre la corriente que fluye a través del dispositivo. Esta característica lo hace especialmente útil en aplicaciones de alta frecuencia, como amplificadores de radiofrecuencia (RF).