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Últimas unidadesTRANSISTOR RF NPN 4 GHZ WIDEBAND. Marca: PHILIPS. Referencia: BFQ34 El Transistor NPN se encuentra encapsulado en un empaque SOT122A de 4 conductores con una tapa de cerámica. Todos los conductores están aislados del perno. Está destinado principalmente a los controladores y etapas finales de los amplificadores del sistema MATV. También es adecuado para su uso en equipos de banda IV y V de baja potencia. Las resistencias de balasto de emisor difuso y la aplicación de metalización tipo sándwich de oro garantizan un perfil de temperatura óptimo y excelentes propiedades de confiabilidad. El dispositivo también cuenta con capacidades de alto voltaje de salida. -
TRANSISTOR RF DUAL VHF P65/33V 10/20A 115W 224MHZ. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV36 El BLV36 es un transistor de potencia RF de banda ancha VHF, lo que significa que puede operar eficientemente en un amplio rango de frecuencias de radiofrecuencia. Su diseño robusto y sus altas especificaciones lo convierten en una excelente opción para aplicaciones que requieren una amplificación de señal significativa. -
TRANSISTOR RF AUDIO FREQUENCY SMALL SIGNAL NEC Referencia: 2SC880 El transistor 2SC880 de NEC es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado para aplicaciones de pequeña señal en frecuencias de radiofrecuencia (RF) y audio. Su diseño compacto y características eléctricas lo convierten en una elección popular para una amplia gama de circuitos. -
TRANSISTOR RF 330 MHZ CATV AMPLIFIER. Marca: MOTOROLA. Referencia: MHW3342 Módulo híbrido diseñado específicamente para aplicaciones CATV de 330 MHz. Cuenta con transistores emisores de arsénico con implantación de iones con frecuencia de 6,0 GHz y un sistema de metalización totalmente en oro. -
TRANSISTOR RF 30W 1GHZ LATERAL N-CH BROADBAND. Marca: MOTOROLA. Referencia: MRF182 -
MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODE VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: BF965 El BF965 es un transistor MOSFET de canal N de doble puerta. Esto significa que tiene dos compuertas que permiten un control más preciso sobre la corriente que fluye a través del dispositivo. Esta característica lo hace especialmente útil en aplicaciones de alta frecuencia, como amplificadores de radiofrecuencia (RF). -
POWER SPLITTER/COMBINER 8 PINES. Marca: MINI-CIRCUITS. Referencia: SRA-2 El SRA-2 es un mezclador de RF con frecuencia de RF de 0 a 1000 MHz, frecuencia LO de 0 a 1 MHz, frecuencia IF de 0,5 a 500 MHz, pérdida de conversión de 5,66 a 8,5 dB, aislamiento LO/RF de 35 dB. -
POWER SPLITTER/COMBINER 14 PINES ADE Referencia: V104A -
MOSFET N-CH 150V 51A INTERNATIONAL RECTIFIER Referencia: IRFB52N15DPBF -
MOSFET N-CH HIGH 500V 20AMP IR Referencia: IRF460 -
MOSFET JFET N-CH 3-PIN ASI Referencia: 2N4392 -
MOSFET QUAD-CH SIPMOS POWER INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: BUZ103SL-IN -
MOSFET POWER 0.4A 60V INTERSIL Referencia: IRFD1Z3 -
MOSFET POWER IR Referencia: IRFP150 -
Últimas unidadesMOSFET P-CH 30V 1.95A 3-PIN SMD ON SEMICONDUCTOR Referencia: NTR4502P -
Últimas unidadesMOSFET N-CH 900V 7A 3-PIN(3+TAB) TOSHIBA Referencia: 2SK4115 -
MOSFET N-CHA 800V 2.5OHM 3.8A STMICROELECTRONICS Referencia: BUZ80A -
MOSFET N-CH SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT DIODE TRANSISTOR CO Referencia: 2N5397 -
MOSFET N-CH SILICON FIELD-EFFECT ETC/MOTOROLA Referencia: BF245A -
MOSFET N-CH POWER MOS V ADVANCE POWER TECHNOLOGY Referencia: APT5020BVR -
MOSFET N-CH JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER MOTOROLA Referencia: 2N4416 -
MOSFET N-CH ENHANCEMENT-MODE VERTICAL DMOS FETS SILICONIX INC /SIEMENS Referencia: VN0300L -
MOSFET N-CH 600V 0.48OHM 13A POWER MESH STMICROELECTRONICS Referencia: W13NB60 -
MOSFET N-CH 80V 190A RUICHIPS Referencia: RU190N08Q -
MOSFET N-CH 800V 17A POWER TRANSISTOR INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: 17N80C3 -
MOSFET N-CH 60V 500MA FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Referencia: BS170 -
MOSFET N-CH 60V 45A ON SEMICONDUCTOR Referencia: NTP45N06L -
MOSFET N-CH 60V 2.1A 0.33OHM DIODES INC Referencia: ZVN4306GV -
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MOSFET N-CH 20V 67A IR Referencia: IRF3704ZPBF -
MOSFET N-CH 200V 50A IR Referencia: IRFP260N -
MOSFET N-CH 100V 59A IR Referencia: IRF3710ZPBF -
MOSFET N-CH SIPMOS POWER TRANSISTOR SIEMENS Referencia: BUZ103SL-SM -
Últimas unidadesMOSFET N-CH 500V 9.5A INFINEON TECHNOLOGIES Referencia: BUZ330 -
MOSFET N-CH 500V 2.5W 2.5A. Marca: IR. Referencia: IRF820A El IRF820A es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Se caracteriza por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes moderadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones. -
MOSFET N-CH 500V 0.33W 14A. Marca: IR. Referencia: IRFP450 El IRFP450 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Es conocido por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes elevadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones industriales y de potencia. -
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Últimas unidadesMOSFET N-CH 100V 1.3A DIP-4. Marca: IR. Referencia: IRFD120PBF El IRFD120PBF es un MOSFET de canal N de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja resistencia en estado encendido, ofreciendo eficiencia y capacidad de manejo de corriente en un encapsulado DIP de 4 pines. -
Últimas unidadesMOSFET MEGA N-CH 20A 600V IXYS Referencia: IXTH20N60 -
MOSFET DIODO ID26 BVDASS500 IXYS Referencia: IXFH26N50 -
MOSFET 8.5A 650V IR Referencia: IRFB9N65A -
MOSFET 600V SINGLE N-CH HEXFET POWER IR Referencia: IRFPC50 -
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MOSFET 250V 40A. Marca: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR. Referencia: FQA40N25 -
MOSFET 0.6A 100V N-CH TOSHIBA Referencia: 2SK941 -
IGBT SUPER FAST NPT MODULE. Marca: SEMIKRON Referencia: SKM50GB063D -
Últimas unidadesIGBT SANREX 200A 600V SANREX Referencia: GCA200AA60 -
IGBT MODULES 500V 50A SILICONIX INCORPORATED Referencia: SPMB50A500
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