BD434: Transistor PNP Epitaxial Silicon 22V 4A
Nombre: TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON
Referencia: BD434
- Polaridad del transistor: PNP
- Configuración: Single
- Corriente CC máxima de colector: 4A
- Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 22V
- Tensión VCBO colector-base: 22V
- Voltaje VEBO emisor-base: 5V
- Voltaje de saturación colector-emisor: 200mV
- Dp – Disipación de potencia: 36W
- Producto para ganar Ancho de banda fT: 3 MHz
- Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C
Marca: STMICROELECTRONICS
Empaque: TO-126
Precio por: Unidad
Ficha Técnica: BD434
SKU: 9-5-164
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Más acerca de este producto:
TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BD434.
Los BD433, BD435 y BD437 son transistores de potencia NPN de base epitaxial de silicio en el paquete de plástico Jedec SOT-32, destinados a su uso en aplicaciones de conmutación y lineales de potencia media.
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