Nombre: TRANSISTOR NPN SILICON POWER

Referencia: BDT93

• Polaridad del transistor: NPN
• Configuración: Single
• Corriente CC máxima de colector: 10A
• Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 80V
• Tensión VCBO colector-base: 80V
• Voltaje VEBO emisor-base: 7V
• Voltaje de saturación colector-emisor: 1V
• Dp – Disipación de potencia: 90W
• Producto para ganar Ancho de banda fT: 4 MHz
• Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C

Marca: PHILIPS

Empaque: TO-220

Precio por: Unidad

Ficha Técnica: BDT93 (por New Jersey)