Nombre: TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL

Referencia: 2N1711

• Polaridad del transistor: NPN
• Configuración: Single
• Corriente CC máxima de colector: 0.5A
• Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 50V
• Tensión VCBO colector-base: 75V
• Voltaje VEBO emisor-base: 7V
• Voltaje de saturación colector-emisor: 1.5V
• Dp – Disipación de potencia: 3W
• Producto para ganar Ancho de banda fT: 150 MHz
• Temperatura de trabajo: desde -65°C hasta 200°C

Marca: ASI

Empaque: TO-39

Precio por: Unidad

Referencia: 2N1711 por Multicomp