Nombre: TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL PLANAR

Referencia: BC338N

• Polaridad de transistor: NPN
• Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
• Voltaje colector-base (Vcb): 30 V
• Voltaje colector-emisor (Vce): 20 V
• Voltaje emisor-base (Veb): 5 V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
• Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 100

Marca: TFK

Empaque: TO-92

Precio por: Unidad

Ficha Técnica: BC338 por Fairchild