Nombre: TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA

TRANSISTOR NPN DE SILICIO (TECNOLOGÍA MESA)

Referencia: BDY58R

• Polaridad del transistor: NPN
• Configuración: Single
• Corriente CC máxima de colector: 25A
• Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 125V
• Tensión VCBO colector-base: 160V
• Voltaje VEBO emisor-base: 10V
• Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5V
• Dp – Disipación de potencia: 175W
• Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
• Temperatura de trabajo: desde -65°C hasta 200°C

Marca: ASI

Empaque: TO-3

Precio por: Unidad

Ficha Técnica: BDY58R