BD137: Transistor NPN Epitaxial Silicon 60V 1A

Nombre: TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON

Referencia: BD137

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Configuración: Single
  • Corriente CC máxima de colector: 1A
  • Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 60V
  • Tensión VCBO colector-base: 60V
  • Voltaje VEBO emisor-base: 5V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5V
  • Dp – Disipación de potencia: 12W
  • Producto para ganar Ancho de banda fT: 50 MHz
  • Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C

Marca: ASI

Empaque: TO-126

Precio por: Unidad

Ficha Técnica: BD137 (por Fairchild)

SKU: 9-5-145

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Más acerca de este producto:

TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON ASI Referencia: BD137.
El BD137 es un transistor NPN de propósito general, encapsulado en TO-126, con una tensión de ruptura colector-base (VCEO) de 60V y una corriente continua máxima del colector (IC) de 1A. Se caracteriza por su alta ganancia de corriente y su capacidad para operar a altas frecuencias, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación.

TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD137

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