Nombre: TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON

Referencia: BD235

• Polaridad de transistor: NPN
• Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
• Tensión colector-base (Vcb): 60 V
• Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
• Tensión emisor-base (Veb): 5 V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

Marca: ASI

Empaque: TO-126

Precio por: Unidad

Ficha Técnica: BD235 por Fairchild