Nombre: TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER

Transistor de potencia lineal VHF

Referencia: BLV33

• Tipo: Transistor epitaxial planar de silicio NPN
• Voltaje colector-emisor (VCESM): 65 voltios (cuando VBE = 0V).
• Voltaje colector-emisor (VCEO): 33 voltios (con base abierta).
• Voltaje emisor-base (VBEBO): 4 voltios (con colector abierto).
• Corriente de colector (IC): 12.5 amperios.
• Corriente de colector promedio (IC(AV)): 12.5 amperios.
• Corriente de pico de colector (ICM): 20 amperios (a frecuencias superiores a 1 MHz).
• Disipación total de potencia (PT): 132 W (a una temperatura ambiente de 25°C).
• Disipación de potencia de RF (PRF): 165 W (a frecuencias superiores a 1 MHz y temperatura ambiente de 25°C).
• Temperatura de almacenamiento (TSTG): Entre -65°C y +150°C.
• Temperatura de unión en funcionamiento (TJ): Máximo 200°C.

Marca: PHILIPS

Empaque: .5 4L STUD

Precio por: Unidad

Ficha Técnica: BLV33