Nombre: TRANSISTOR RF DUAL VHF P65/33V 10/20A 115W 224MHZ

Referencia: BLV36

Tipo: Transistor de potencia RF bipolar NPN

• Tensión colector-emisor (valor pico);
  • (valor pico); VBE = 0 VCESM máx. 65 voltios
  • base abierta VCEO máx. 33V
• Tensión de emisor-base (colector abierto) VEBO máx. 4V
• Corriente de colector por sección de transistor
  • DC o promedio CI. CI(AV) máx. 8,5 A
  • (valor pico); f > 1 MHz Imáx. 17,5 A
• Disipación total de potencia CC; Tmb = 25 °C Ptot (DC) máx. 218 ancho*
• Disipación de potencia de radiofrecuencia f > 1 MHz; Tmb = 25 °C Ptot(RF) máx. 270 W*
• Temperatura de almacenamiento Tstg: -65 a +150 °C
• Temperatura de unión de funcionamiento tj máx.: 200 ºC

* La disipación de cualquiera de las secciones del transistor no debe exceder la mitad de la potencia nominal.

Marca: PHILIPS

Empaque: SOT161

Precio por: Unidad

Ficha técnica: BLV36