Nombre: MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODE

Tetrodo de efecto de campo MOS de doble puerta de canal N, modo de agotamiento

Referencia: BF965

• Tipo de transistor: MOSFET
• Tipo de canal de control: canal N
• Disipación máxima de potencia: 0,2 W
• Voltaje máximo drenaje-fuente |Vds|: 20 V
• Voltaje máximo puerta-fuente |Vgs|: 8,5 V
• Corriente máxima de drenaje |Id|: 0,03 A
• Temperatura máxima de unión Tj: 150 °C
• Capacitancia de salida: 1 pF
• Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje Rds: 200 ohmios

Marca: VISHAY SEMICONDUCTORS

Empaque: SOT-13

Precio por: Unidad

Ficha Técnica: BF965 (Siemens)